[发明专利]掺杂量子点及其制备方法、量子点光电器件在审
| 申请号： | 201910193712.2 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110003884A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 周健海;邵蕾;余世荣 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/70;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/0352;H01L51/50 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 胡拥军;糜婧 |
| 地址： | 310052 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点 掺杂 掺杂材料 基体材料 制备 掺杂金属氧化物 荧光量子产率 金属氧化物 光电器件 空位缺陷 | ||
1.一种掺杂量子点，其特征在于，包括基体材料以及掺杂在所述基体材料中的掺杂材料，所述掺杂材料包括至少一种金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的掺杂量子点，其特征在于，所述掺杂量子点为未包覆壳层的量子点核，所述掺杂材料掺杂在所述量子点核的基体材料中。
3.根据权利要求1所述的掺杂量子点，其特征在于，所述掺杂量子点包括量子点核以及至少一壳层，所述掺杂材料掺杂在所述量子点核和/或所述壳层的基体材料中。
4.根据权利要求1-3任一所述的掺杂量子点，其特征在于，所述金属氧化物选自以下一种或多种：ZnO、CdO、Al2O3、MgO、In2O3、MnO2、ZrO2、NiO、Ga2O3、Fe2O3、TiO2、Cr2O3、SnO2。
5.根据权利要求1-3任一所述的掺杂量子点，其特征在于，所述基体材料包括以化学键结合的II族元素和VI族元素，或者所述基体材料包括以化学键结合的III族元素和V族元素。
6.一种掺杂量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在量子点核和/或量子点壳层的生长过程中，向含有金属阳离子前体的反应溶液中一次或者多次加入烷基醇，所述金属阳离子前体与所述烷基醇反应生成的金属氧化物掺杂到所述量子点核和/或所述量子点壳层中。
7.根据权利要求6所述的掺杂量子点的制备方法，其特征在于，所述金属阳离子前体为合成所述量子点核和/或所述量子点壳层时未反应完的阳离子前体，所述金属阳离子前体包括至少一种II族元素的前体或至少一种III族元素的前体。
8.根据权利要求6所述的掺杂量子点的制备方法，其特征在于，所述金属阳离子前体是在所述量子点核和/或所述量子点壳层的生长过程中加入的，所述金属阳离子前体选自以下一种或者多种：锌前体、镉前体、铝前体、镁前体、铟前体、锰前体、锆前体、镍前体、镓前体、铁前体、钛前体、铬前体、锡前体。
9.根据权利要求6-8任一所述的掺杂量子点的制备方法，其特征在于，所述金属阳离子前体与所述烷基醇的物质的量之比为(600:1)～(5:1)。
10.一种量子点光电器件，其特征在于，所述量子点光电器件包括权利要求1-5任一所述的掺杂量子点或者由权利要求6-9任一所述的掺杂量子点的制备方法制备而成的量子点。
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