[发明专利]一种提高容值和耐压的叠状电容的制作方法有效
| 申请号： | 201910193926.X | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110071096B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 詹智梅;林豪;肖俊鹏;王潮斌;陈东仰;郑育新;林张鸿;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 耐压 电容 制作方法 | ||
1.一种提高容值和耐压的叠状电容制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在半导体器件的绝缘区域制作第一层金属；
在第一层金属上制作第一层介电层，在第一层介电层上位于第一层金属上表面的一侧开第一通孔；
在第一层介电层上制作第二层金属，第二层金属分割为大小两部分，第二层金属小的部分通过第一通孔与第一层金属连接，第二层金属小的部分的下部处在第一通孔内，第二层金属小的部分的底面在第一层金属表面上；
沉积氮化物层；
在第二层金属上制作第二层介电层，在第二层介电层开第二通孔和第三通孔，所述第二通孔在第一通孔上方，第三通孔在第一层金属上方相对于第一通孔的一侧；
在第二层介电层上制作第三层金属，第三层金属分割为大小两部分，第三层金属大的部分通过第二通孔与第二层金属小的部分连接，第三层金属小的部分通过第三通孔与第二层金属大的部分连接，第三层金属小的部分的下部处在第三通孔内，第三层金属小的部分的底面在第二层金属大的部分的表面上。
2.根据权利要求1所述的一种提高容值和耐压的叠状电容制作方法，其特征在于，制作第一层金属、第二层金属或者第三层金属包括步骤：
通过物理气相沉积的方式蒸镀制作第一层金属、第二层金属或者第三层金属。
3.根据权利要求1所述的一种提高容值和耐压的叠状电容制作方法，其特征在于：制作第一层介电层或者第二层介电层包括步骤：
通过化学气相沉积的方式制作第一层介电层或者第二层介电层。
4.根据权利要求1所述的一种提高容值和耐压的叠状电容制作方法，其特征在于：所述氮化物为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的一种提高容值和耐压的叠状电容制作方法，其特征在于：所述第三层金属大的部分在靠近第二通孔处设置有分割的开口。
6.根据权利要求1到5任意一项所述的一种提高容值和耐压的叠状电容制作方法，其特征在于：所述半导体器件为砷化镓晶体管。
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