[发明专利]用于制造多个转换元件的方法、转换元件和光电子器件有效
申请号: | 201910194279.4 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN110277480B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 丽贝卡·勒默尔;马库斯·莱特尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 转换 元件 方法 光电子 器件 | ||
1.一种用于制造多个转换元件(7)的方法,所述方法具有如下步骤:
- 在辅助载体(2)上提供第一转换层(1),所述第一转换层将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射,
- 在所述第一转换层(1)上施加第二转换层(3),所述第二转换层将第一波长范围的电磁辐射转换成第三波长范围的电磁辐射,以及
- 将形成的层堆(4)分离,使得形成多个转换元件(7),
其中
- 每个转换元件(7)包括至少一个第一转换区域(8),所述第一转换区域具有所述第一转换层(1)的材料,
- 每个转换元件(7)包括至少一个第二转换区域(9),所述第二转换区域具有所述第二转换层(3)的材料,
- 所述转换区域(8,9)在横向上并排设置,
- 分离所述层堆(4)包括两个分离步骤,其中将所述层堆(4)在第一分离步骤中分割成多个片(5),和将所述片(5)在第二分离步骤中分割成多个转换元件(7),以及
- 将所述层堆(4)之字形折叠成立方体。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中将至少一个另外的第一转换层(1)和至少一个另外的第二转换层(3)交替地施加到所述第二转换层(3)上。
3.根据权利要求1所述的方法,其中
- 将第三转换层(10)施加到所述第二转换层(3)上,所述第三转换层将所述第一波长范围的电磁辐射转换成第四波长范围的电磁辐射,以及
- 每个转换元件(7)包括至少一个第三转换区域(8),所述第三转换区域具有所述第三转换层的材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中所述第一转换层(1)和/或所述第二转换层(3)通过如下方法之一产生:喷涂、流延成型、旋涂。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中
- 所述第一转换层(1)包括聚合物基质材料,多个第一发光材料颗粒引入到所述聚合物基质材料中,其中所述第一发光材料颗粒将所述第一波长范围的电磁辐射转换成所述第二波长范围的电磁辐射,和/或
- 所述第二转换层(3)包括聚合物基质材料,多个第二发光材料颗粒引入到所述聚合物基质材料中,其中所述第二发光材料颗粒将所述第一波长范围的电磁辐射转换成所述第三波长范围的电磁辐射。
6.根据权利要求4所述的方法,其中
- 所述第一转换层(1)包括聚合物基质材料,多个第一发光材料颗粒引入到所述聚合物基质材料中,其中所述第一发光材料颗粒将所述第一波长范围的电磁辐射转换成所述第二波长范围的电磁辐射,和/或
- 所述第二转换层(3)包括聚合物基质材料,多个第二发光材料颗粒引入到所述聚合物基质材料中,其中所述第二发光材料颗粒将所述第一波长范围的电磁辐射转换成所述第三波长范围的电磁辐射。
7.一种转换元件(7),所述转换元件借助根据权利要求1至6中任一项所述的方法来制造。
8.一种光电子器件,所述光电子器件具有:
- 发射辐射的半导体芯片(11),所述半导体芯片从辐射出射面发出第一波长范围的电磁辐射,以及
- 根据权利要求7所述的转换元件(7),所述转换元件将所述第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射和第三波长范围的电磁辐射。
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