[发明专利]芯片内存功耗测量方法、装置、设备及介质有效

专利信息
申请号: 201910194574.X 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN109933473B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 赵阳;陈岚 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22;G06F11/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 芯片 内存 功耗 测量方法 装置 设备 介质
【权利要求书】:

1.一种芯片内存功耗测量方法,其特征在于,所述方法包括:

在晶圆针测阶段,通过运行内存自测试算法生成预设内存活动,所述内存自测试算法包括测试单元序列,所述测试单元序列中的每一个测试单元包含一组内存活动,所述预设内存活动能够模拟正常运行模式下的内存活动;

测量所述预设内存活动对应的功耗以确定芯片内存功耗;

所述测试单元通过如下方式生成:

获取正常运行模式下的内存活动对应的仿真波形;

从所述仿真波形中提取内存活动序列,所述内存活动序列中的内存活动以内存活动元组形式表征,所述内存活动元组包括当前时刻、所述当前时刻对应的内存操作、所述内存操作对应的内存地址以及所述内存地址对应的字内容;

根据所述内存活动序列中各类型内存操作的数量生成所述测试单元;或者,根据所述内存活动序列的功耗生成所述测试单元;

所述根据所述内存活动序列中各类型内存操作的数量生成所述测试单元包括:

针对任一类型内存操作,确定芯片中各内存产生该类型内存操作的平均值;

将所述平均值与内存中字的数量的比值作为所述测试单元中该类型内存操作的次数;

根据各类型内存操作的次数生成所述测试单元;

所述根据所述内存活动序列的功耗生成所述测试单元包括:

获取初始测试单元;

确定所述初始测试单元应用至内存产生的第一功耗;

根据所述第一功耗与正常运行模式下内存操作对应的第二功耗的比较结果更新所述初始测试单元,直至所述第一功耗与所述第二功耗的比较结果满足预设条件;

将满足预设条件的初始测试单元确定为所述测试单元。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

切分所述内存活动序列得到多个内存活动片段;

则所述根据所述内存活动序列生成所述测试单元包括:

根据所述多个内存活动片段中的每一个内存活动片段生成对应的测试单元。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

对所述测试单元编码得到源单元和自测试参数;所述自测试参数用于扩展所述源单元得到多个所述测试单元。

4.一种芯片内存功耗测量装置,其特征在于,所述装置包括:

生成模块,用于在晶圆针测阶段,通过运行内存自测试算法生成预设内存活动,所述内存自测试算法包括测试单元序列,所述测试单元序列中的每一个测试单元包含一组内存活动,所述预设内存活动能够模拟正常运行模式下的内存活动;

测量模块,用于测量所述预设内存活动对应的功耗以确定芯片内存功耗;

所述生成模块用于通过如下方式生成所述测试单元:

获取正常运行模式下的内存活动对应的仿真波形;

从所述仿真波形中提取内存活动序列,所述内存活动序列中的内存活动以内存活动元组形式表征,所述内存活动元组包括当前时刻、所述当前时刻对应的内存操作、所述内存操作对应的内存地址以及所述内存地址对应的字内容;

根据所述内存活动序列中各类型内存操作的数量生成所述测试单元;或者,根据所述内存活动序列的功耗生成所述测试单元;

所述生成模块具体用于:

针对任一类型内存操作,确定芯片中各内存产生该类型内存操作的平均值,将所述平均值与内存中字的数量的比值作为所述测试单元中该类型内存操作的次数,根据各类型内存操作的次数生成所述测试单元;或者,

获取初始测试单元,确定所述初始测试单元应用至内存产生的第一功耗,根据所述第一功耗与正常运行模式下内存操作对应的第二功耗的比较结果更新所述初始测试单元,直至所述第一功耗与所述第二功耗的比较结果满足预设条件,将满足预设条件的初始测试单元确定为所述测试单元。

5.一种芯片内存功耗测量设备,其特征在于,所述设备包括处理器以及存储器:

所述存储器用于存储程序代码,并将所述程序代码传输给所述处理器;

所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行权利要求1至3任一项所述的芯片内存功耗测量方法。

6.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质用于存储程序代码,所述程序代码用于执行权利要求1至3任一项所述的芯片内存功耗测量方法。

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