[发明专利]一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法

权利要求书

1.一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中，向水中加入抗菌材料保温1～2h；

所述抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.001～0.006，所述抗菌材料包括一壳体结构，所述壳体结构中包裹有杀菌剂和气体释放载体，所述杀菌剂包括腐殖质，所述壳体结构采用质量比为1:0.1～1:0.01～0.005的壳聚糖、明胶和脂质体构成，所述气体释放载体为过氧化钙；

S2、将浸泡过的种子放在温度为30～35℃、湿度为60～80％的条件下恒温催芽，待种子破衣后，调整温度至24～25℃、湿度为40～60％，待种芽生长至1～5mm催芽结束。

2.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：步骤S1中所述挑选饱满、无破损和无病斑的扁豆种子之后，加入温度为25～35℃、pH为6～8的水中之前还包括以下步骤：将挑选后的扁豆种子放置于太阳下暴晒至少24h，且在两次暴晒之间将扁豆种子放置在温度为0℃～5℃的环境中。

3.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述抗菌材料与扁豆种子的质量比为0.003～0.005。

4.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述杀菌剂还包括高锰酸钾和多菌灵。

5.如权利要求4所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述腐殖质、高锰酸钾和多菌灵的质量比为1:0～0.5:0.01～0.07。

6.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述步骤S1和S2之间还包括以下步骤：将浸泡后的种子放置在温度为50～65℃、浓度为0.01～0.03的氢氧化钠溶液中，导入二氧化碳气体搅拌至温度为35℃～40℃后洗净。

7.如权利要求1所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述壳体结构采用质量比为1:0.3～0.6:0.02～0.004的壳聚糖、明胶和脂质体构成。

8.如权利要求7所述的一种提高扁豆发芽率的扁豆种子处理方法，其特征在于：所述壳体结构采用质量比为1:0.5:0.03的壳聚糖、明胶和脂质体构成。