[发明专利]压控振荡器

权利要求书

1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：

工作电源单元，用于接收外部电源并输出工作电流；

与所述工作电源单元连接的谐振器电路单元，所述谐振器电路单元接收所述工作电流并产生振荡频率；

与所述谐振器电路单元连接的有源振荡电路单元；

与所述有源振荡电路单元以及所述工作电源单元连接的动态充放电单元，用于动态控制所述有源振荡电路单元的偏置电压；

所述动态充放电单元包括，电流镜、尾电流源以及与所述尾电流源连接的尾电容，所述尾电流源与所述尾电容之间具有连接节点，所述连接节点连接所述有源振荡电路单元且向所述有源振荡电路单元提供偏置电压，所述电流镜用于将所述外部电源的电流镜像至所述连接节点；

所述有源振荡电路单元包括第一NMOS管以及第二NMOS管，所述动态充放电单元动态控制所述第一NMOS管栅极的偏置电压以及所述第二NMOS管栅极的偏置电压；所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极均接地；

所述谐振器电路单元包括：第一电感，所述第一电感一端与所述工作电源单元连接，所述第一电感另一端与所述第一NMOS管的漏极连接；第二电感，所述第二电感一端与所述工作电源单元连接，所述第二电感另一端与所述第二NMOS管的漏极连接；

所述电流镜包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管源极与外部电源连接；第三NMOS管，所述第三NMOS管漏极与所述第一PMOS管漏极连接，且所述第三NMOS管漏极与所述第三NMOS管栅极连接；第四NMOS管，所述第四NMOS管栅极与第三NMOS管栅极连接，所述第四NMOS管漏极与所述连接节点连接；所述第三NMOS管源极接地，所述第四NMOS管源极接地；

所述工作电源单元包括：输入PMOS管，所述输入PMOS管的源极与外部电源连接，所述输入PMOS管的栅极与所述第一PMOS管栅极连接；运算放大器，所述运算放大器的反向输入端输入参考电压源，所述运算放大器的同相输入端与所述输入PMOS管的漏极连接。

2.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述谐振器电路单元包括：第一电容，所述第一电容正极与所述第一NMOS管的漏极连接；第二电容，所述第二电容正极与所述第二NMOS管的漏极连接，且所述第二电容负极与所述第一电容负极连接。

3.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述尾电容的一端与所述连接节点连接，另一端接地。

4.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述运算放大器的同相输入端还与所述谐振器电路单元连接，用于向所述谐振器电路单元提供工作电源，所述运算放大器的输出端与所述输入PMOS管的栅极连接。

5.如权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，还包括：低通滤波单元。