[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。解决手段为衬底处理装置，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，其对所述衬底进行处理；气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛排气；和倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

在制造半导体器件的半导体制造装置中，需要提高生产率。为了实现提高生产率，对衬底均匀地进行处理来提高良品率。

发明内容

发明要解决的课题

作为对衬底进行处理的装置，例如存在如专利文献1那样从衬底侧方供给气体的装置、或如专利文献2那样从衬底的上方供给气体的装置。

在从衬底的上方供给气体的装置的情况下，气体与衬底表面直接碰撞。因此，例如在进行形成膜的处理的情况下，气体碰撞的部分的膜厚变厚等，由此可能无法对衬底面内均匀地进行处理。

在从侧方供给气体的装置的情况下，由于气体不直接碰撞衬底，因此，上述部分变厚等问题不会发生。然而，对于气体而言，存在气体的状态从衬底的上游至下游发生变化的情况，若如此，则在衬底的上游侧和下游侧处，膜质可能变得不同。

因此，本发明的目的在于，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。

专利文献1：日本特开2011-28340

专利文献2：日本专利5961297

用于解决课题的手段

提供一种技术，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，对所述衬底进行处理；气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛排气；倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。

发明效果

在从衬底的侧方供给气体的装置中，能够在衬底的上游侧与下游侧实现均匀的膜质。

附图说明

图1：为说明衬底处理装置的说明图。

图2：为说明衬底处理装置的说明图。

图3：为说明衬底处理装置的说明图。

图4：为说明气体的流动的说明图。

图5：为气体的流速的模拟图。

图6：为说明第一气体供给部的说明图。

图7：为说明第二气体供给部的说明图。

图8：为说明第三气体供给部的说明图。

图9：为说明衬底处理装置的控制器的说明图。

图10：为说明衬底处理流程的说明图。

图11：为说明衬底的处理状态的说明图。

图12：为说明衬底的处理状态的说明图。

图13：为说明比较例中的衬底的处理状态的说明图。