[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成第一阱区和第二阱区，第二阱区位于第一阱区内，所述第一阱区和第二阱区的导电类型相反；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构位于部分第二阱区表面和部分第一阱区表面，所述栅极结构顶部在衬底的第一阱区表面具有第一投影，所述栅极结构底部在衬底的第一阱区表面具有第二投影，所述第一投影在所述第二投影的范围内；

在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述第一阱区表面上，所述第二侧墙位于所述第二阱区表面上；

在所述第一侧墙上形成悬浮插塞，所述悬浮插塞到所述第一投影的最小距离大于所述悬浮插塞到所述第二投影的最小距离。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的方法包括：在所述衬底表面形成栅极层；在所述栅极层表面形成初始第二掩膜层；在所述初始第二掩膜层表面形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分所述初始第二掩膜层；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，对所述初始第二掩膜层进行第一刻蚀，形成第二掩膜层；在所述第一刻蚀的过程中或在所述第一刻蚀之后，在第二掩膜层的侧壁形成保护层；以所述第一掩膜层和保护层为掩膜，对暴露出的栅极层进行第二刻蚀，形成所述栅极结构。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层在所述第一刻蚀的过程中形成，所述保护层材料为聚合物材料。

4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀的气体包括氧气，所述第一刻蚀的氧气流量为第一流量。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀的气体包括氧气，所述第二刻蚀的氧气流量为第二流量，所述第一流量小于所述第二流量。

6.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括光刻胶；所述第二掩膜层的材料包括抗反射材料。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的方法包括：在所述衬底表面形成栅极层；在所述栅极层表面形成初始第二掩膜层；在所述初始第二掩膜层表面形成图形化的初始第一掩膜层，所述初始第一掩膜层暴露出部分初始第二掩膜层；以所述初始第一掩膜层为掩膜，对所述初始第二掩膜层进行刻蚀，在栅极层表面形成第二掩膜层；对所述初始第一掩膜层的侧壁进行刻蚀，减小所述初始第一掩膜层在平行于衬底表面方向上的尺寸，形成所述第一掩膜层；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，对暴露出的栅极层进行刻蚀，形成所述栅极结构。

8.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括光刻胶；所述第二掩膜层的材料包括抗反射材料。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区的侧壁突出于所述第二区的侧壁。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，位于第一阱区表面的部分栅极结构侧壁相对于衬底表面倾斜。

11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙同时形成；所述第一侧墙和第二侧墙的形成方法包括：在所述衬底上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述栅极结构；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出所述衬底表面，在所述栅极结构侧壁形成所述第一侧墙和所述第二侧墙。

12.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第一侧墙和第二侧墙后，在第一侧墙上形成悬浮插塞之前，还包括：在所述栅极结构、第一侧墙和第二侧墙的两侧的衬底内形成源掺杂层和漏掺杂层，所述源掺杂层位于第二阱区内，所述漏掺杂层位于第一阱区内，所述源掺杂层和漏掺杂层的导电类型与第一阱区导电类型相同。