[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法与光源结构

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层与阴极；其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设于所述阳极与所述量子点发光层之间的混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料；

所述电子提取材料的导带底能级或LUMO能级不小于所述量子点发光层的量子点材料的导带底能级；所述电子提取材料的HOMO能级或者价带顶能级介于所述空穴传输材料的HOMO能级与所述量子点发光层的量子点材料的价带顶能级之间；

所述混合层为由所述电子提取材料与所述空穴传输材料混合形成的混合层；或者，所述混合层包括层叠设置的电子提取层和空穴传输层，所述电子提取层由所述电子提取材料组成，所述空穴传输层由所述空穴传输材料组成，且所述电子提取层位于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间。

2.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述电子提取材料包括C₆₀、PC₇₁BM、ITO、IZO和TiO₂中的至少一种；或者，

所述电子提取材料的电子迁移率大于1×10^-3cm²V^-1s^-1。

3.根据权利要求2所述量子点发光二极管，其特征在于，所述电子提取材料包括质量比例为4:10:1的C₆₀、PC₇₁BM及ITO。

4.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述电子提取层的厚度为1~10nm。

5.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，在由所述电子提取材料与所述空穴传输材料混合形成的混合层中靠近所述量子点发光层的部分，所述电子提取材料的比例更大，在由所述电子提取材料与所述空穴传输材料混合形成的混合层中靠近空穴注入层的部分，所述空穴传输材料的比例更大。

6.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，由所述电子提取材料与所述空穴传输材料混合形成的混合层中，所述空穴传输材料与所述电子提取材料的质量比为9.5:0.5至8.5:1.5。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：在阳极与量子点发光层之间制备混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料；

所述电子提取材料的导带底能级或LUMO能级不小于所述量子点发光层的量子点材料的导带底能级；所述电子提取材料的HOMO能级或者价带顶能级介于所述空穴传输材料的HOMO能级与所述量子点发光层的量子点材料的价带顶能级之间；

所述混合层为由所述电子提取材料与所述空穴传输材料混合形成的混合层；或者，所述混合层包括层叠设置的电子提取层和空穴传输层，所述电子提取层由所述电子提取材料组成，所述空穴传输层由所述空穴传输材料组成，且所述电子提取层位于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间。

8.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，所述在阳极与量子点发光层之间制备混合层的步骤，包括：

将所述空穴传输材料制备于阳极上形成空穴传输层，在空穴传输层上利用溶液法沉积所述电子提取材料形成电子提取层；或者，

将所述空穴传输材料与所述电子提取材料混合，并制备于阳极上形成混合层；或者，

将所述电子提取材料制备于量子点发光层上形成电子提取层；在所述电子提取层上利用溶液法沉积所述空穴传输材料形成空穴传输层；或者，

将所述空穴传输材料与所述电子提取材料混合，并制备于量子点发光层上形成混合层。

9.一种光源结构，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述量子点发光二极管。