[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：

形成第一金属层；

在所述第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；

在所述附着层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出所述第一金属层的过孔；以及

在所述第一绝缘层上形成通过所述过孔与所述第一金属层连接的透明电极层；

其中，所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；

所述在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤中，包括步骤：

将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子；

将氮原子和氢原子沉积在所述第一金属层上，与所述第一金属层发生化学反应形成所述附着层；

所述将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，氨气和氢气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层包括金属钼材料，所述第一绝缘层包括氮化硅材料，所述附着层为氮化钼材料。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将氢气和氨气分解成氮原子和氢原子的步骤中，包括步骤：

在所述第一金属层上加入氢气；

通过电浆制程将氢气分解成氢原子；

在所述第一金属层上加入氨气；以及

通过电浆制程将氨气分解成氢原子和氮原子。

4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，氢气的电浆制程时间在10秒至60秒之间，氨气的电浆制程时间在4秒至14秒之间。

5.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在进行电浆制程的同时，将电浆制程的功率控制在8千瓦至16千瓦之间。

6.如权利要求1所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层的步骤前，增加一道对所述第一金属层进行预热处理的步骤。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关设置在所述衬底的表面，所述透明电极层设置在所述主动开关的表面，所述主动开关包括：

第二金属层，设置在所述衬底的表面；

第二绝缘层，设置在所述第二金属层的表面；

半导体层，设置在所述第二绝缘层的表面；

第一金属层，覆盖在所述半导体层的表面；

附着层，设置在所述第一金属层的表面；

沟道，贯穿所述第一金属层和所述附着层；

第一绝缘层，设置在所述附着层和所述沟道的表面；以及

过孔，贯穿所述第一绝缘层，暴露出所述第一金属层；

其中，所述透明电极层通过所述过孔与所述第一金属层连接；

所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；所述附着层是通过分解氨气和氢气后与所述第一金属层发生反应后形成；

氨气和氢气通过电浆制程分解成氮原子和氢原子。

8.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板，如权利要求7所述的阵列基板，以及填充在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶盒。