[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。阵列基板的制造方法包括步骤：形成基底层；在所述基底层上形成半导体层；在所述半导体层上形成金属层，所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物；将所述金属层蚀刻成源漏极；在所述源漏极上形成钝化层，所述钝化层为与所述第一氮化物对应设置的第二氮化物结构，或与所述第一氧化物对应设置的第二氧化物结构。本申请的源漏极中含有氮化钼，当由氮化物材料构成的钝化层沉积在源漏极上时，两种含氮结构会产生吸附力，从而使钝化层在源漏极上贴合更加紧密，在蚀刻钝化层时，与源漏极贴合的钝化层部分会蚀刻较慢，从而改善钝化层的钻蚀现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。

背景技术

液晶显示器作为传递信息的主要媒介，已经被广泛应用于工作、生活中的各个领域。但是很少有人知道看似简单的液晶面板，其制作需要成百上千道工序。一般而言，液晶显示面板是由包含薄膜晶体管等主动元件的阵列基板、包含彩色滤光片等元件的彩膜基板以及夹置其中的液晶盒所组成，位于阵列基板表面的透明电极层需要与主动开关中的金属层连接。

在阵列基板的制作中，金属层表面的钝化层在刻蚀形成接触孔洞时，容易出现钻蚀(Passivation Undercut)现象，严重时可能直接导致液晶面板显示异常。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法和显示面板，以改善钝化层的钻蚀现象。

为实现上述目的，本发明公开了一种阵列基的制造方法，包括步骤：

形成基底层；

在所述基底层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成金属层，所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物；

将所述金属层蚀刻成源漏极；

在所述源漏极上形成钝化层，所述钝化层为与所述第一氮化物对应设置的第二氮化物结构，或与所述第一氧化物对应设置的第二氧化物结构。

可选的，所述金属层包括设置在所述半导体层上的金属基层，以及设置在所述金属基层上的第一氮化物层，所述第一氮化物层为氮化钼层，所述钝化层为氮化物结构；所述在半导体层上形成金属层，所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物的步骤中，包括步骤：

在所述半导体层上沉积钼金属材料；

在所述钼金属材料上通入氮气，并同时将氮气通过电浆制程分解成氮原子，所述氮原子沉积到钼金属材料表面反应后形成氮化钼层。

可选的，所述金属层包括设置在所述半导体层上的金属基层，以及设置在所述金属基层上的第一氮化物层，所述第一氮化物层为氮化钼层，所述钝化层为氮化物结构；所述在半导体层上形成金属层，所述金属层的上表面含有第一氮化物或者第一氧化物的步骤中，包括步骤：

在所述半导体层上沉积金属材料基层；

在所述金属材料基层上沉积钼金属材料，并同时通入氮气，反应后形成氮化钼材料；

蚀刻金属材料基层形成金属基层，蚀刻氮化钼材料形成氮化钼层。

可选的，所述在半导体层上沉积金属材料基层的步骤中，包括步骤：

在半导体层上沉积钼金属材料；

在钼金属材料上沉积铝金属材料以形成包括钼金属材料和铝金属材料的金属材料基层；

所述蚀刻金属材料基层形成金属基层，蚀刻氮化钼材料形成氮化钼层的步骤中，包括步骤：

蚀刻钼金属材料形成钼金属层，蚀刻铝金属材料形成铝金属层以得到包括钼金属层和铝金属层的金属基层。