[发明专利]提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法

说明书

本发明提供了一种提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法，涉及水稻育种领域，该提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法，包括以下步骤：提供经挑选、干燥和消毒杀菌后的水稻种子，先用稀硝酸浸泡培养，然后再用GABA溶液浸泡培养，完成浸种。利用该方法能够缓解现有的镉金属污染农田中水稻种子发芽率低以及水稻产量低的技术问题技术问题，达到提高水稻种子在镉环境下发芽率的目的。

技术领域

本发明涉及水稻育种领域，尤其是涉及一种提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法。

背景技术

近年来，随着矿产资源的大力开发利用、工业生产迅猛发展、污水灌溉以及含重金属农药、化肥的不合理使用等，导致重金属不断地在农田环境中积累。据统计，我国受镉(Cd)、铬(Cr)、砷(As)和铅(Pb)等重金属污染的耕地面积近2000万公顷，约占总耕地面积的20％。重金属被植物吸收进入体内，对植物生理生长特性产生巨大影响：如降低种子的萌发率、影响植物根系生长、发生细胞死亡等。

目前，水稻的生产也受到了重金属的影响，在镉污染农田中，水稻种子的发芽率显著降低了，严重影响了我国水稻的产量。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法，以缓解现有的镉金属污染农田中水稻种子发芽率低以及水稻产量低的技术问题。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法，包括以下步骤：

提供经挑选、干燥和消毒杀菌后的水稻种子，先用稀硝酸浸泡培养，然后再用GABA溶液浸泡培养，完成浸种。

进一步的，所述稀硝酸的质量浓度为0.05-0.5％，优选为0.05％-0.3％。

进一步的，用稀硝酸浸泡培养的条件为：在25-35℃恒温箱中黑暗培养12-16h。

进一步的，所述GABA溶液的摩尔浓度为1-15mM，优选为5-12mM。

进一步的，用GABA溶液浸泡培养的条件为：在25-35℃恒温箱中黑暗培养1-2天，直至水稻种子露白。

进一步的，所述挑选的方法包括：对水稻种子进行筛选，去除杂质和干瘪种子，选择圆润的水稻种子备用。

进一步的，所述干燥的方法包括：选种后将水稻种子在25-35℃下晾晒3-6天，或，选种后将水稻种子在25-35℃下的通风干燥箱内干燥1-2天。

进一步的，所述消毒杀菌的方法包括：将干燥后的水稻种子在浸于消毒液中消毒处理，之后经清洗，完成水稻种子的消毒杀菌。

进一步的，所述消毒液为0.1-0.8％质量浓度的次氯酸钠溶液，浸泡时间为10-30min。

进一步的，所述方法包括以下步骤：

S1)选种：对水稻种子进行筛选，除去杂质和干瘪的水稻种子，选取圆润的水稻种子备用；

S2)干燥：将选种后的水稻种子进行晾晒处理，自然条件下于25-35℃下晾晒3-6天，或者，置于干燥箱内在25-35℃通风烘干1-2天；

S3)杀菌消毒：用消毒液对种子进行消毒杀菌，将干燥后的水稻种子加入到0.1-0.8％质量浓度的次氯酸钠溶液，浸泡10-30min；

S4)清洗：将浸泡在消毒液中的水稻种子取出置于滤网中，用无菌水漂洗5-6次；

S5)浸种：先将水稻种子浸于质量浓度为0.05-0.5％的稀硝酸中，于25-35℃下恒温培养箱中黑暗培养12-16小时；再将水稻种子浸于GABA溶液中，于25-35℃下恒温培养箱中黑暗培养1-2天，直至水稻种子露白；