[发明专利]瞬时负压关断功率MOS管驱动电路及驱动方法在审

专利信息
申请号: 201910197988.8 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN109921615A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 汪庆;马高育;肖翔;乔洪涛;常超;高婷 申请(专利权)人: 湖北三江航天万峰科技发展有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 刘志菊;李满
地址: 432000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 功率MOS管 关断 驱动电路 负压 变压器 变压器驱动电路 前级 源极 放大 负压产生电路 控制信号驱动 驱动供电电路 正向电压信号 变压器输出 产品可靠性 电源模块 负向电压 控制信号 正向导通 自动产生 导通 供电 驱动
【权利要求书】:

1.一种瞬时负压关断功率MOS管驱动电路,其特征在于:它包括驱动供电电路(1)、变压器驱动电路(2)、变压器(3)、功率MOS管正向导通驱动电路(4)和瞬时负压产生电路(5);

所述驱动供电电路(1)用于给变压器驱动电路(2)供电;

所述变压器驱动电路(2)用于将变压器前级控制信号放大,并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器(3);

所述功率MOS管正向导通驱动电路(4)用于将变压器(3)输出的正向电压信号加在功率MOS管(6)栅极和源极上,使功率MOS管(6)导通;

所述瞬时负压产生电路(5)用于产生功率MOS管(6)关断瞬间时需要的负向电压信号,并加在功率MOS管(6)栅极和源极上,使功率MOS管(6)关断。

2.根据权利要求1所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路,其特征在于:所述变压器驱动电路(2)包括电阻R1B1、电阻R1B2、电阻R1B3、电阻R1B4、电阻R1B5、电容C1B1、电容C1B2、电容C1B3、电容C1B4、变压器驱动芯片U1B、电阻R2B3、电阻R2B4、电阻R2B5、电容C2B1、电容C2B2、电容C2B3和变压器驱动芯片U2B,其中,所述变压器驱动芯片U1B和变压器驱动芯片U2B用于将变压器前级控制信号放大,并通过放大后的变压器前级控制信号驱动变压器(3);

所述电阻R1B3和电容C1B1用于为变压器驱动芯片U1B滤出掉干扰信号,电阻R1B4和电阻R1B5用于对变压器驱动芯片U1B输出的驱动信号进行限流,电容C1B4用于隔离直流信号,防止驱动变压器饱和,所述电阻R1B2为上拉电阻,使变压器驱动芯片U1B的第一信号放大输入端使能控制端ENA和第二信号放大输入端使能控制端ENB始终为高电平,电容C1B2和电容C1B3为去耦电容,防止外界电压波动对变压器驱动芯片U1B的影响;

所述电阻R2B3和电容C2B1用于为变压器驱动芯片U2B滤出掉干扰信号,电阻R2B4和电阻R2B5用于对变压器驱动芯片U2B输出的驱动信号进行限流,电容C2B2和电容C2B3为去耦电容,防止外界电压波动对变压器驱动芯片U2B的影响。

3.根据权利要求2所述的瞬时负压关断功率MOS管驱动电路,其特征在于:所述变压器驱动芯片U1B和变压器驱动芯片U2B的变压器前级控制信号为互补的方波信号。

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