[发明专利]一种阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201910198006.7 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN109887979B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 姚之晓;马文锋;于海峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/02 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板、位于所述衬底基板上的信号传输线、位于所述衬底基板的非显示区域的第一静电释放器件和静电释放信号线,所述第一静电释放器件和所述静电释放信号线相连,所述第一静电释放器件用于将来自所述信号传输线的静电传输至所述静电释放信号线释放,所述信号传输线通过至少两个支路与所述第一静电释放器件相连;
当所述信号传输线通过两个支路与所述第一静电释放器件相连时,所述两个支路与所述第一静电释放器件的连接端分别位于所述第一静电释放器件的对侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述信号传输线通过两个支路与所述第一静电释放器件相连时,所述两个支路的连接处与所述第一静电释放器件分别处于所述支路上的静电击穿高发位置的两端。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板上的非显示区域的第一静电释放单元,所述第一静电释放单元包括第一电极层、中间层和第二电极层,所述第一静电释放单元的第一电极层与所述信号传输线相连,所述第一静电释放单元用于将所述信号传输线传输的静电通过所述第二电极层释放。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一静电释放器件包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层,所述源漏电极层包括分别与所述有源层连接的源电极和漏电极,所述栅极层和所述源电极与所述信号传输线相连,所述漏电极与所述静电释放信号线相连。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一静电释放单元的第一电极层与所述信号传输线相连包括:所述第一静电释放单元的第一电极层通过第一过孔与所述第一静电释放器件的源电极相连,所述第一静电释放单元的第一电极层通过第二过孔与所述第一静电释放器件的栅极层相连。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板还包括位于所述衬底基板的非显示区域的且与所述信号传输线相连的第二静电释放器件,其中,所述信号传输线通过至少两个支路与所述第二静电释放器件相连,所述第二静电释放器件包括依次设置在所述衬底基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏电极层,所述第二静电释放器件的源漏电极层包括分别与所述第二静电释放器件的有源层连接的源电极和漏电极,所述第二静电释放器件的漏电极与所述信号传输线相连,所述第二静电释放器件的栅极层和源电极连接所述静电释放信号线。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,当所述信号传输线通过两个支路与所述第二静电释放器件相连时,所述两个支路与所述第二静电释放器件的连接端分别位于所述第二静电释放器件的对侧,且所述两个支路的连接处与所述第二静电释放器件分别处于所述两个支路上的静电击穿高发位置的两端。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板上的非显示区域的第二静电释放单元,所述第二静电释放单元包括第一电极层、中间层和第二电极层,所述第二静电释放单元的第一电极层通过第三过孔与所述第二静电释放器件的源电极相连,所述第二静电释放单元的第一电极层通过第四过孔与所述第二静电释放器件的栅极层相连,所述第二静电释放单元用于将所述第二电极层产生的静电通过所述静电释放信号线释放。
9.根据权利要求3或8所述的阵列基板,其特征在于,所述中间层包括以下至少之一:空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的