[发明专利]改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法

说明书

本发明涉及改良的鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法，提供形成有缩减宽度且与邻近鳍片有增加距离的CT柱的方法以及所产生的装置。数个具体实施例包括：提供在一氧化物层中的第一对鳍片与第二对鳍片，其中，该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅；以及形成一CT柱，其包括在该第一对及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的SiN，其中，该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。

技术领域

本揭示内容是有关于鳍式场效晶体管(fin field-effect

transistor；FinFET)及其制造方法。本揭示内容特别可应用于超越7纳米(nm)的技术节点。

背景技术

随着FinFET技术设计规则的积极缩小，使用用以栅极(PC)隔离的栅极切割(CT)柱变得越来越有挑战性。例如，在7纳米技术中，在多晶硅开窗式化学机械研磨((poly-open-chemical-mechnical-polishing；POC)后观察到不完全CT，从而导致PC-PC短路(PC to PCshort)。尽管增加CT反应性离子蚀刻(RIE)的制程时间可解决此问题，然而它会造成CT的关键尺寸(CD)增加。CT的大关键尺寸缩减制程裕度(process margin)而可能在功函数(WF)金属填充期间产生空穴。

因此，亟须有改良CT制程裕度和增加CT柱与鳍片间的PC端对端距离的装置，以及致能方法。

发明内容

本揭示内容的一方面为一种装置，其包括有缩减宽度且增加与邻近鳍片的距离的CT柱。

本揭示内容的另一方面为一种方法，其形成有缩减宽度且增加与邻近鳍片的距离的CT柱。

本揭示内容的附加方面及其他特征会在以下说明中提出以及部分在本领域技术人员审查以下内容或学习本揭示内容的实施后会明白。按照随附权利要求书的特别提示，可实现及得到本揭示内容的优点。

根据本揭示内容，某些技术效果部分可用一种装置达成，其包括：在一氧化物层中的第一对鳍片与第二对鳍片，其中该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅(Si)；以及一CT柱，其包括在该第一对鳍片及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的氮化硅(SiN)，其中该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。

本揭示内容的另一方面为一种方法，其包括：提供在一氧化物层中的第一对鳍片与第二对鳍片，其中该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅；以及形成一CT柱，其包括在该第一对鳍片及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的SiN，其中该CT柱的宽度与该CT柱、该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离成反比。

本揭示内容的又一方面为一种装置，其包括在一氧化物层中厚度有5纳米至22纳米的第一对鳍片与第二对鳍片，其中该第一对鳍片及该第二对鳍片包括硅；以及一CT柱，其包括在该第一对鳍片及该第二对鳍片之间且在该氧化物层的一部分上方的SiN，其中该CT柱的宽度为12纳米至40纳米且在该CT柱与该第一对鳍片及该第二对鳍片之间的距离为10纳米至35纳米。

本领域技术人员由以下详细说明可明白本揭示内容的其他方面及技术效果，其中仅以预期可实现本揭示内容的最佳模式举例描述本揭示内容的具体实施例。应了解，本揭示内容能够做出其他及不同的具体实施例，以及在各种明显的方面，能够修改数个细节而不脱离本揭示内容。因此，附图及说明内容本质上应被视为图解说明用而不是用来限定。

附图说明

在此用附图举例说明而不是限定本揭示内容，图中类似的元件用相同的附图标记表示，且其中：

图1A、图1B至图7A、图7B的横截面图根据一示范具体实施例各自示意图示用于形成有缩减宽度的CT柱的制程流程；

图1C至图7C的上视图各自图示图1A、图1B至图7A、图7B的切割线；