[发明专利]一种正装集成单元二极管芯片

权利要求书

1.一种正装集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构，

所述二极管台面结构包括n个二极管单元，所述n个二极管单元呈几何形状排列，电极宽度及台面结构面积根据电流确定，其中，n≥2；

所述电极宽度根据电流面积确定的计算公式为：

其中，I_N为单元二极管芯片的输入电流，J_N为输入电流密度，S_N为台面结构面积，R_diode为单元二极管芯片电阻，R₀，R_i为多个单元二极管芯片之间的P型电极电极线到量子阱有源区的电阻，R’_M-1为多个单元二极管芯片之间的N型电极电极线到量子阱有源区的电阻；

将单元二极管芯片中，二极管单元行长度固定为L，依序定义由P型电极向右的二极管单元，定义其宽度分别为L0, L1, L2, L3, …LN…LM；其中二极管单元宽度满足L0L1L2L3 …LN…LM，最优化的设计值为：

根据L_N及面积计算公式计算台面结构面积。

2.一种如权利要求1所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括孔结构。

3.一种如权利要求2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔结构包括1个～10000个孔单元，所述孔单元直径为0.001微米 ～20微米。

4.一种如权利要求3所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔单元对称排列，非对称排列，周期性排列，非周期性排列或随机排列。

5.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其

特征在于，每个所述二极管单元上含有1个～10000个孔单元，孔单元形状为三角形、正方形、长方形、五边形、六边形、圆形、以及其他任意定义形状。

6.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元的连接方式为：并联，串联，设定比例的串并联混合。

7.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元形状为：三角形、正方形、长方形、五边形、六边形、圆形、任意自定义形状。

8.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内，所述二极管单元数量为2个～1000亿个。

9.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元长度为0.001微米～200微米。

10.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内，所述二极管单元按照均匀的对称排列分布。

11.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构内，所述二极管单元大小不等，不均匀分布设置。

12.一种如权利要求1或2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括透明导电电极，及线条型电极线；所述线条型电极线为二极管单元间电极连接线。

13.一种如权利要求12所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述线条型电极线宽度为0.001微米～20微米，所述线条型电极线厚度为0.001微米～10微米。