[发明专利]半导体芯片修补方法以及半导体芯片修补装置有效
申请号: | 201910199432.2 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN111416028B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 廖建硕 | 申请(专利权)人: | 台湾爱司帝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 梁皓茹 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 修补 方法 以及 装置 | ||
1.一种半导体芯片修补方法,其特征在于,包括:
提供设置在电路基板上的多个发光单元,多个所述发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元,所述电路基板具有焊垫区与非焊垫区;
移除所述损坏的发光单元,以形成空缺位置;
取得良好的发光单元;
形成挥发性粘着材料于所述良好的发光单元的底部上,多个导电接合物混在所述挥发性粘着材料内;
利用所述挥发性粘着材料,以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置;以及
对所述良好的发光单元进行加热,以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置;
其中,当位于所述良好的发光单元的底部的所述导电接合物因加热而在熔融状态时,位于所述电路基板的所述非焊垫区上方的所述导电接合物因内聚力的作用,而全部移动至邻近的所述焊垫区上方,以裸露出所述非焊垫区。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,所述良好的发光单元通过所述导电接合物以电连接于电路基板。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在对所述良好的发光单元进行加热的步骤中,所述良好的发光单元被压板所顶抵。
4.一种半导体芯片修补方法,其特征在于,包括:
提供发光二极管模块,所述发光二极管模块包括电路基板以及多个设置在所述电路基板上且电连接于所述电路基板的发光单元;其中,多个所述发光单元之中的至少一个为损坏的发光单元,所述电路基板具有焊垫区与非焊垫区;
利用激光光源投向所述损坏的发光单元,以降低所述损坏的发光单元与所述电路基板之间的结合力;
将所述损坏的发光单元从所述电路基板上取下而形成空缺位置 ;
形成挥发性粘着材料于良好的发光单元的底部上,多个导电接合物混在所述挥发性粘着材料内;
利用所述挥发性粘着材料,以将所述良好的发光单元粘着在所述空缺位置;以及
对所述良好的发光单元进行加热,以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置;
其中,当位于所述良好的发光单元的底部的所述导电接合物因加热而在熔融状态时,位于所述电路基板的所述非焊垫区上方的所述导电接合物因内聚力的作用,而全部移动至邻近的所述焊垫区上方,以裸露出所述非焊垫区。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在利用所述激光光源投向所述损坏的发光单元的步骤中,进一步包括:
利用位置检测模块以检测所述电路基板与所述损坏的发光单元的导电物质之间的接触界面的位置;以及
利用所述激光光源投向位于所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的所述接触界面,以降低所述电路基板与所述损坏的发光单元的所述导电物质之间的结合力;
其中,所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件;
其中,所述导电物质为异方性导电膜。
6.根据权利要求4所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在对所述良好的发光单元进行加热,以使得所述良好的发光单元固定在所述空缺位置的步骤中,进一步包括:利用所述激光光源投向所述良好的发光单元,以使得所述良好的发光单元固定在所述电路基板上且电连接于所述电路基板。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片修补方法,其特征在于,在利用所述激光光源投向所述良好的发光单元的步骤中,进一步包括:
利用位置检测模块以检测所述良好的发光单元的新的导电物质的位置;以及
利用所述激光光源投向所述良好的发光单元的所述新的导电物质,以固化所述新的导电物质;
其中,所述位置检测模块至少包括用于接收检测波的接收元件;
其中,所述导电物质为异方性导电膜,且所述新的导电物质为异方性导电胶。
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