[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法,和电子设备有效

专利信息
申请号: 201910200000.9 申请日: 2014-07-16
公开(公告)号: CN109994077B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 甚田诚一郎 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;G09G3/20;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/50
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

多个像素,每个像素包括:

发光元件;

驱动晶体管,被配置为响应于通过数据线提供的像素电压将驱动电流提供至所述发光元件,

第一绝缘层,以及

第二绝缘层,

其中,所述驱动晶体管包括:

第一沟道,

第一栅电极,以及

导电层,

其中,在设置所述驱动晶体管的区域中,所述导电层、所述第一绝缘层、所述第一沟道、所述第二绝缘层以及所述第一栅电极依次堆叠在基板上,

所述导电层被布置在包括所述第一栅电极和所述驱动晶体管的接触件的区域中。

2.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,每个像素进一步包括:

电容器,一端连接至所述第一栅电极,并且另一端连接至所述驱动晶体管的源电极和所述发光元件的阳电极,并且

写入晶体管,连接在所述电容器的一端和所述数据线之间,并且被配置为将所述像素电压传送至所述第一栅电极。

3.根据权利要求2所述的显示装置,

其中,所述写入晶体管包括:

第二沟道,是第二多晶硅层的一部分,以及

第二栅电极,

其中,在设置所述写入晶体管的区域中,所述第一绝缘层、所述第二沟道、所述第二绝缘层、和所述第二栅电极依次堆叠在所述基板上。

4.根据权利要求3所述的显示装置,

其中,所述写入晶体管不包括在所述基板和所述第一绝缘层之间的任何导电层。

5.根据权利要求3所述的显示装置,

其中,所述第一沟道是第一多晶硅层的一部分,所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的设置位置彼此明显不同。

6.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第一栅电极的整个区域与所述导电层重叠。

7.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第一沟道是第一多晶硅层的一部分,所述第一多晶硅层的整个区域与所述导电层重叠。

8.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括多个驱动晶体管,

其中,所述多个驱动晶体管中的一个驱动晶体管的导电层耦接至所述多个驱动晶体管中的另一个驱动晶体管的导电层。

9.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述导电层被提供有预定的正电压。

10.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第一沟道是第一多晶硅层的一部分,所述驱动晶体管的所述接触件包括分别连接至所述第一多晶硅层的第一接触件和第二接触件,并且

所述第一沟道被布置在所述第一接触件和所述第二接触件之间的路径内。

11.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括电力线,

其中,所述发光元件包括阳极和阴极,

所述第一接触件连接至所述电力线,并且

所述第二接触件连接至所述阳极。

12.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括第三绝缘层,被设置在所述第二绝缘层和所述第一栅电极上,并且

所述第一接触件和所述第二接触件通过所述第三绝缘层形成。

13.根据权利要求10所述的显示装置,

其中,所述第一接触件和所述第二接触件被布置为与所述导电层重叠。

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