[发明专利]一种抗重力超薄微热管制备方法

权利要求书

1.一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)将单晶硅片和单晶硅支架清洗并烘干；

(2)将单晶硅片的单面先后连续进行两次激光加工，加工出阵列排布的梭形结构和沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，再清洗并烘干；

(3)通过步骤(2)加工出两片单晶硅片，将两片单晶硅片带有梭形阵列的一面相对、并在两片单晶硅片之间放入单晶硅支架，通过共晶键合技术将两片单晶硅片和单晶硅支架密封，单晶硅片和单晶硅支架之间形成内腔；

(4)在微热管的其中一片单晶硅片上进行激光钻孔，加工出真空灌液孔，通过真空灌液孔对内腔抽真空并向内腔灌注工质液体，再对真空灌液孔进行激光焊接密封，即得到抗重力超薄微热管。

2.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述清洗为采用去离子水超声振动清洗至少20分钟，烘干为单晶硅片在80～95℃的温度中烘干10～15分钟。

3.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述单晶硅片为矩形，单晶硅片预先经过两面抛光处理，单晶硅片的长为100～200mm，宽为30～50mm，厚度为0.2～0.25mm。

4.根据权利要求3所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述单晶硅支架为矩形框架结构，单晶硅支架的长、宽、厚度分别与单晶硅片的长、宽、厚度相同，单晶硅支架的边框宽为8～12mm。

5.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(2)中，在两次激光加工过程中，第一次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽，第二次加工出阵列排布的梭形结构；或者，第一次加工出阵列排布的梭形结构，第二次加工出沿单晶硅片长度方向的多条横截面为矩形的凹槽。

6.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光加工采用飞秒激光加工，激光的波长为400nm～800nm，激光的能量为80～100mW，激光的切割速度不超过30μm/s。

7.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述共晶键合技术为硅-硅直接共晶键合技术。

8.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述激光钻孔采用飞秒激光钻孔技术，抽真空为将微热管腔内的压力抽至10～20Pa，工质液体采用冷媒。

9.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(3)中，多对单晶硅片和单晶硅支架同时通过共晶键合技术密封。

10.根据权利要求1所述一种抗重力超薄微热管制备方法，其特征在于，步骤(4)中，对内腔抽真空并向内腔灌注工质液体时，采用真空灌注机。