[发明专利]一种水系高电压电极材料的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201910200408.6 申请日: 2019-03-16
公开(公告)号: CN109786126B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 袁凯;黄俊;陈义旺;谈利承 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/32;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/24;H01G11/62;H01G11/86
代理公司: 南昌朗科知识产权代理事务所(普通合伙) 36134 代理人: 郭毅力
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 水系 电压 电极 材料 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种水系高电压电极材料的制备方法,其特征是包括如下步骤:

(1)制备具有高导电性、高比表面的碳布/碳纳米墙为基底材料;

(2)在步骤(1)制备的基底材料表面通过电化学沉积及电化学氧化法制备Na0.5MnO2纳米片阵列;得到碳布/碳纳米墙/Na0.5MnO2纳米片正极材料;

(3)在步骤(1)制备的另一基底材料表面通过水热法及后续退火制备碳包覆的多孔VN纳米片阵列;得到碳布/碳纳米墙/碳包覆的多孔VN纳米片负极材料;

步骤(2)所述的碳布/碳纳米墙/Na0.5MnO2纳米片正极材料的制备步骤如下:

1)将碳布依次用丙酮、乙醇和去离子水超声洗净待用;

2)将步骤1)得到的碳布浸入含Co(NO3)2·6H2O、Zn(NO3)2·6H2O及2-甲基咪唑的混合溶液中4 ~ 10小时,取出干燥,然后在空气中,350 ~ 500℃条件下煅烧2小时得到碳布/碳纳米墙阵列;

3)将步骤2)得到的碳布/碳纳米墙阵列用做工作电极,浸入50 mL含0.1 ~ 0.5 M Mn(CH3COO)2和 0.1 ~ 0.2 M Na2SO4电沉积溶液中,以Ag/AgCl电极为参比电极,铂片电极为对电极,在-1.8 ~ 0 V电压下进行电化学沉积,以5 mV s-1的扫速循环1 ~ 5圈,然后用去离子水清洗,60℃干燥;最后在饱和Na2SO4溶液中,0 ~ 1.3 V电压下进行电化学氧化,以10 mVs-1的扫速循环100 ~ 500圈,得到碳布/碳纳米墙/Na0.5MnO2纳米片电极;

步骤(3)所述的碳布/碳纳米墙/碳包覆的多孔VN纳米片负极材料的制备步骤如下:

a)将碳布依次用丙酮、乙醇和去离子水超声洗净待用;

b)将步骤a)得到的碳布浸入含Co(NO3)2·6H2O、Zn(NO3)2·6H2O及2-甲基咪唑的混合溶液中4 ~ 10小时,取出干燥,然后在空气中,350 ~ 500℃条件下煅烧2小时得到碳布/碳纳米墙阵列;

c )将步骤b)得到的碳布/碳纳米墙用作基底,将1 ~ 2 M V2O5和 2 ~ 8 mM H2C2O4溶解在10 mL去离子水中,75℃条件下加热到溶液变为蓝黑色,再加入40 mL乙醇和1 ~ 2 mLH2O2,搅拌30分钟;将步骤b)得到的碳布/碳纳米墙浸入,放入反应釜中,在180℃条件下反应5小时,然后用乙醇和去离子水清洗,干燥;最后将其浸入0.04 ~ 0.1 M葡萄糖溶液中5 ~10小时,取出干燥,在氮气氛围中,500 ~ 800℃条件下煅烧2小时得到碳布/碳纳米墙/碳包覆的多孔VN纳米片电极。

2.根据权利要求1所述的一种水系高电压电极材料的制备方法,其特征是所述的步骤2)中浸入含Co(NO3)2·6H2O、Zn(NO3)2·6H2O及2-甲基咪唑的混合溶液中4小时;350℃条件下煅烧2小时。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学,未经南昌大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910200408.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top