[发明专利]神经元活动检测方法及探测系统有效

专利信息
申请号: 201910202074.6 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN109793502B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 裴为华;徐淮良;苏越;吴晓婷 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: A61B5/00 分类号: A61B5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 神经元 活动 检测 方法 探测 系统
【权利要求书】:

1.一种基于阵列光源-探测器阵列的神经元活动检测方法,其步骤包括:

将阵列光源以及探测器阵列分别对称放置在受试对象转染有钙离子指示剂的头部探测区域两侧,其中,所述阵列光源与探测器阵列具有一一对应的关系,并且可探测多个脑组织区域,所述探测器阵列包括多个探测器组,每个所述探测器组包含多个探测器;

阵列光源发光激发对应脑组织区域具有神经活动的神经元发出荧光;

探测器阵列探测所述荧光的强度;

将脑组织区域划分为多个子探测区,每个所述脑组织区域中的所述子探测区的数量与每个所述探测器组中的所述探测器数量相同;

建立衰减模型,得到不同子探测区的等效荧光强度;

获得神经活动的空间分布,完成空间探测。

2.根据权利要求1所述的基于阵列光源-探测器阵列的神经元活动检测方法,所述阵列光源和探测器阵列利用MEMS微结构加工工艺制备。

3.根据权利要求1所述的基于阵列光源-探测器阵列的神经元活动检测方法,所述阵列光源中各光源为独立开关控制。

4.根据权利要求1所述的基于阵列光源-探测器阵列的神经元活动检测方法,所述衰减模型的公式为:

其中Prm为探测器组中各个探测器探测到的荧光强度;

PJn为子探测区发出的荧光强度;

Z为探测器因子;

K为吸光系数;

C为溶液浓度;

Lmn为子探测区与探测器组中各个探测器之间的距离;

N为划分子探测区的数量,n的取值范围为1-N;

M为探测器组中探测器的数量,m的取值范围为1-M。

5.根据权利要求4所述的基于阵列光源-探测器阵列的神经元活动检测方法,其中所述衰减模型的公式中的PJn的数值大小表示神经活动的强弱。

6.一种基于阵列光源-探测器阵列的神经元活动检测系统,包括:

一阵列光源,包括多个光源,用于发光激发对应脑组织区域具有神经活动的神经元;

一探测器阵列,包括多个探测器组,每个探测器组包含多个探测器,用于探测神经元被激发出的荧光强度;

一控制系统,用于控制阵列光源开关和建立衰减模型,以及根据所述荧光强度,确定神经活动的空间分布;

其中,所述阵列光源以及所述探测器阵列分别对称放置在受试对象转染有钙离子指示剂的头部探测区域两侧,所述阵列光源与探测器阵列具有一一对应的关系,并且可探测多个脑组织区域,每个所述脑组织区域划分有多个子探测区,每个所述脑组织区域中的所述子探测区的数量与每个所述探测器组中的所述探测器数量相同。

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