[发明专利]接收信号强度检测电路及方法

权利要求书

1.一种接收信号强度检测电路，其特征在于，包括：纹波抑制的OOK信号幅度检测模块和时间域模数转换模块；其中，

所述纹波抑制的OOK信号幅度检测模块用于接收OOK接收信号，并根据所述OOK接收信号的幅度将所述OOK接收信号转换为直流模拟幅度信号，并在转换过程中抑制交流纹波，向外输出所述直流模拟幅度信号；

所述时间域模数转换模块用于接收所述直流模拟幅度信号，将所述直流模拟幅度信号转换为幅度随所述直流模拟幅度信号变化的幅度调频信号，对所述幅度调频信号的频率进行测量，输出代表测量结果的数字幅度信号；

其中，所述时间域模数转换模块进一步包括：电压频率转换器和量化噪声整形的频率数字转换器；

其中，所述电压频率转换器用于接收所述直流模拟幅度信号，将所述直流模拟幅度信号转换为频率随所述直流模拟幅度信号变化的幅度调频信号，并向外输出所述幅度调频信号；

所述量化噪声整形的频率数字转换器用于接收所述幅度调频信号，并对所述幅度调频信号的频率进行测量，输出代表测量结果的数字幅度信号，将所述数字幅度信号作为整个接收信号强度检测电路的输出。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述纹波抑制的OOK信号幅度检测模块进一步包括：第一整流模块、第二整流模块、第一比较器、第二比较器、第一D触发器、电压缓冲器、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；其中，

所述第一整流模块和所述第二整流模块均用于接收所述OOK接收信号，对所述OOK接收信号进行平方或绝对值运算，输出与所述OOK接收信号的幅度相关的电流信号；

所述第一整流模块的输出端口连接所述第一电阻和第一比较器，所述第一电阻用于将所述第一整流模块输出的电流信号转换为高频整流电压信号，所述第一比较器用于根据所述高频整流电压信号生成高频采样信号；

所述第二整流模块的输出端口连接所述第二比较器和由所述第二电阻与第一电容组成的滤波网络，所述滤波网络用于将所述第二整流模块输出的电流信号转换为低频整流电压信号，所述第二比较器用于根据所述低频整流电压信号生成低频采样信号；

所述第一D触发器的触发端口接入所述高频采样信号，所述第一D触发器的输入端口接入所述低频采样信号，所述第一D触发器的输出端口输出同步采样信号；

所述电压缓冲器的输入端接收所述低频整流电压信号，所述电压缓冲器的输出端连接被所述同步采样信号控制的开关，生成所述直流模拟幅度信号；

在所述直流模拟幅度信号的端口与地之间接所述第二电容。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压频率转换器包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和N个延时单元；其中，

每个延时单元包括第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管；

在所述每个延时单元中，所述第二PMOS晶体管的源极接电源，所述第二PMOS晶体管的漏极接所述第三PMOS晶体管的源极，所述第三PMOS晶体管的栅极接所述第二NMOS晶体管的栅极，所述第三PMOS晶体管的漏极接所述第二NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的源极接所述第三NMOS晶体管的漏极，所述第三NMOS晶体管的栅极接所述第一NMOS晶体管的栅极，所述第三NMOS晶体管的源极接地；

所述纹波抑制的OOK信号幅度检测模块输出的直流模拟幅度信号同时接入所有延时单元的第二PMOS晶体管的栅极和所述第一PMOS晶体管的栅极；

所述第一PMOS晶体管的漏极同时与所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极连接，构成电流镜结构，所述电流镜结构用于将所述直流模拟幅度信号镜像到所有延时单元的第三NMOS晶体管；

相邻的延时单元之间的输入输出端口首尾相连，第N延时单元的输出与第一延时单元的输入相连，以任意一个延时单元的输出作为所述电压频率转换器的输出。