[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

基底，具有多个有源区；

多个接触窗，分别配置在所述有源区的端点上，其中所述接触窗具有彼此相对的底面与顶面，以及连接所述底面与所述顶面的侧壁，且所述底面直接接触所述有源区；以及

多个空气间隙，分别环绕所述接触窗的所述侧壁。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中各所述接触窗包括：

第一导体结构；

第二导体结构，配置于所述第一导体结构上，其中所述二导体结构的材料与所述第一导体结构的材料不同，

其中所述第一导体结构包括下部与上部，所述空气间隙环绕所述第一导体结构的所述上部，以使所述第一导体结构的剖面轮廓呈倒T字型。

3.根据权利要求2所述的存储元件，其中所述下部的底部宽度大于所述上部的底部宽度。

4.根据权利要求2所述的存储元件，其中所述空气间隙完全包围所述第一导体结构的所述上部。

5.根据权利要求1所述的存储元件，还包括：

多个位线结构，分别配置于所述有源区的所述端点处的所述接触窗之间并沿着第一方向延伸；以及

多个字线，分别配置在所述第一方向上相邻的两个接触窗之间并沿着第二方向延伸，其中所述第二方向与所述第一方向不同。

6.根据权利要求5所述的存储元件，其中所述空气间隙延伸于在所述第二方向上相邻的两个位线结构的侧壁之间。

7.根据权利要求1所述的存储元件，还包括：

多个隔离结构，分别配置于在第一方向上相邻的两个有源区之间，以电性隔离在所述第一方向上相邻的两个有源区上的接触窗。

8.一种存储元件的制造方法，包括：

提供基底，所述基底具有多个第一区与多个第二区；

在所述第一区形成多个字线组；

在所述第一区的所述基底上形成第一介电层；

在所述第二区的所述基底上形成导体层，其中所述导体层的顶面低于所述第一介电层的顶面；

形成牺牲层，所述牺牲层环绕所述导体层；

在所述基底上共形地形成第二介电层；

进行蚀刻工艺，以于所述第二区的所述导体层与所述第二介电层中形成开口，其中所述开口暴露所述第二区的所述基底中的第一隔离结构；

在所述开口中形成第二隔离结构；

进行平坦化工艺，以暴露出所述牺牲层；

凹蚀部分所述导体层，以形成第一导体结构并暴露出所述牺牲层；

移除所述牺牲层，以形成空气间隙环绕所述第一导体结构的上部；以及

在所述第一导体结构上形成第二导体结构，以包封所述空气间隙。

9.根据权利要求8所述的存储元件的制造方法，其中形成所述牺牲层以环绕所述导体层的步骤包括：

在所述第二区的所述基底上形成第一导体材料；

形成牺牲材料，以共形地覆盖所述第一导体材料与所述第一介电层；

移除部分牺牲材料，以形成所述牺牲层，且暴露出所述第一导体材料的顶面与所述第一介电层的顶面；以及

在所述第一导体材料上形成第二导体材料，以使所述牺牲层环绕所述第二导体材料的侧壁。

10.根据权利要求8所述的存储元件的制造方法，其中形成所述第二介电层之后，所述第二介电层具有凹凸不平的顶面，其中所述第二区的所述第二介电层的顶面低于所述第一区的所述第二介电层的顶面。

11.根据权利要求8所述的存储元件的制造方法，其中在进行所述蚀刻工艺时，包括移除所述第一区的部分所述第二介电层，以暴露所述第一介电层的顶面。

12.根据权利要求8所述的存储元件的制造方法，其中所述第二隔离结构接触所述第一隔离结构，且分隔所述第二区上的所述导体层与所述牺牲层。