[发明专利]在多模式脉冲处理中检测处理点的系统和方法

权利要求书

1.一种识别多模式脉冲处理中的端点的方法，包括：

向等离子体处理室中的一个或多个晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包括多个周期；

在所述一个或多个晶片的多个周期期间收集至少一个处理输出变量；

将所述多模式脉冲处理施加于所述等离子体处理室中的选定晶片；

在所述选定的晶片的所述多模式脉冲处理的多个周期期间收集至少一个处理输出变量；

将通过施加所述多模式脉冲处理至所述一个或多个晶片所收集的所述至少一个处理输出变量的第一轨道与通过施加所述多模式脉冲处理至所述选定的晶片所收集的所述至少一个处理输出变量的第二轨道进行比较；

计算从所述第一轨道上的点到所述第二轨道上的点的距离；和

基于所述距离确定所述选定的晶片的所述多模式脉冲处理的端点是否到达，其中当所述距离是所述第一轨道上的多个点与所述第二轨道上的多个对应点之间的多个距离的最小距离时到达所述端点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多模式脉冲处理期间，所述多个周期中的每一个重复多次，直到达到所述选定的晶片的所述端点，其中所述多个周期中的每一个包括多个阶段，其中在所述多个阶段中的每个阶段期间，将不同的处理施加于所述一个或多个晶片和所述选定的晶片。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述选定的晶片的所述至少一个处理输出变量包括来自所述等离子体处理室的发射光谱强度、从所述选定的晶片的顶表面反射的光强度的反射光谱、射频(RF)谐波、向等离子体处理室提供RF信号的RF源处的RF电压、所述RF源的输出处的RF电流、所述等离子体处理室的温度、所述等离子体的压力或其组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一轨道和所述第二轨道中的每一个识别所述多个周期，其中所述多个周期中的每个周期包括多个阶段，其中在所述多个阶段中的每个阶段期间，不同的处理被施加于所述一个或多个晶片和所述选定的晶片。

5.根据权利要求1所述的方法，其中以相同的样本计数对所述第一轨道上的所述点和所述第二轨道上的所述点进行采样。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述选定的晶片的所述至少一个处理输出变量具有与预定阈值匹配的值之后到达所述端点。

7.一种控制器，包括：

处理器，其配置为：

向等离子体处理室中的一个或多个晶片施加多模式脉冲处理，所述多模式脉冲处理包括多个周期；

在所述一个或多个晶片的多个周期期间收集至少一个处理输出变量；

将所述多模式脉冲处理施加于所述等离子体处理室中的选定晶片；

在所述选定的晶片的所述多模式脉冲处理的多个周期期间收集至少一个处理输出变量；

将通过施加所述多模式脉冲处理至所述一个或多个晶片所收集的所述至少一个处理输出变量的第一轨道与通过施加所述多模式脉冲处理至所述选定的晶片所收集的所述至少一个处理输出变量的第二轨道进行比较；

计算从所述第一轨道上的点到所述第二轨道上的点的距离；和

基于所述距离确定所述选定的晶片的所述多模式脉冲处理的端点是否到达，其中当所述距离是所述第一轨道上的多个点与所述第二轨道上的多个对应点之间的多个距离的最小距离时到达所述端点；以及

耦合到所述处理器的存储器，其中所述存储器设备被配置为存储所述距离。

8.根据权利要求7所述的控制器，其中在所述多模式脉冲处理期间，所述多个周期中的每一个重复多次，直到达到所述选定的晶片的所述端点，其中所述多个周期中的每一个包括多个阶段，其中在所述多个阶段中的每个阶段期间，将不同的处理施加于所述一个或多个晶片和所述选定的晶片。