[发明专利]一种双面陶瓷厚膜电路的生产工艺

权利要求书

1.一种双面陶瓷厚膜电路的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：

1)将陶瓷材料流延成陶瓷基片，所述陶瓷基片的厚度为0.375～1.5mm；

2)将步骤1)得到的陶瓷基片进行激光打孔；

3)将经步骤2)激光打孔后的陶瓷基片采用钯银浆进行负压灌孔；所述负压灌孔包括实心灌孔和/或空心灌孔；

所述实心灌孔的实心孔的内径为0.8mm以下，实心灌孔的钯银浆的粘度为240～360Pa·s，所述实心灌孔的负压为-40KPa～-80Kpa；

所述空心灌孔的空心孔的内径为0.6～2.4mm，所述空心灌孔的钯银浆的粘度为100～180Pa·s，所述空心灌孔的负压为-40KPa～-80Kpa；

4)将经步骤3)负压灌孔的陶瓷基片的两个面上经干燥、线路和/或电阻印刷、烧结、激光调阻后，得到所述双面陶瓷厚膜电路，所述烧结的温度为845～855℃，所述烧结的时间为1～3h。

2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤1)中，所述陶瓷材料为氮化铝和/或氧化铝。

3.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤4)中，所述干燥的温度为165～175℃，所述干燥的时间为0.5～1h。

4.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：

1)将氮化铝和/或氧化铝材料流延成厚度为0.375～1.5mm陶瓷基片；

2)将步骤1)得到的陶瓷基片进行激光打孔；

3)将经步骤2)激光打孔后的陶瓷基片采用钯银浆进行-40KPa～-80KPa负压灌孔；

4)将经步骤3)负压灌孔的陶瓷基片的两个面上经165～175℃干燥、线路和/或电阻印刷、845～855℃烧结、激光调阻后，得到所述双面陶瓷厚膜电路。