[发明专利]贴膜方法及贴膜机

说明书

本发明公开了一种贴膜方法及贴膜机。贴膜方法，包括如下步骤：将待贴膜产品放置于第二压膜台；向待贴膜产品的正上方输送干膜；第一压膜台向第二压膜台运动并与第二压膜台密封连接，且使得待贴膜产品位于第一压膜台与第二压膜台之间；抽取第一压膜台与第二压膜台之间的空气；压紧组件将待贴膜产品与干膜压紧贴合。第一压膜台与第二压膜台之间实现密封连接；抽取第一压膜台与第二压膜台之间的空气，使得第一压膜台与第二压膜台之间形成接近真空的状态；进而避免了干膜贴附于待贴膜产品后待贴膜产品与干膜之间存在气泡，提升了干膜的贴膜效果。

技术领域

本发明涉及贴膜领域，尤其涉及一种贴膜方法及贴膜机。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

晶圆等产品的生产过程中，需要对成品进行贴膜处理，也即将干膜贴附于晶圆等产品的表面，现有的贴膜方式的贴合效果较差，晶圆与干膜之间容易存在气泡。

发明内容

本发明的目的在于提供一种贴膜方法及贴膜机，旨在解决现有技术中，晶圆与干膜之间容易存在气泡的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

贴膜方法，包括如下步骤：

S100、将待贴膜产品放置于第二压膜台；

S200、向待贴膜产品的正上方输送干膜；

S300、第一压膜台向第二压膜台运动并与第二压膜台密封连接，且使得待贴膜产品位于第一压膜台与第二压膜台之间；

S400、抽取第一压膜台与第二压膜台之间的空气；

S500、压紧组件将待贴膜产品与干膜压紧贴合。

进一步地，在步骤S500之后，还包括以下步骤：

S600、第一压膜台远离第二压膜台；

S700、切除待贴膜产品的边界外的干膜。

进一步地，在步骤S700之后，还包括以下步骤：

S800、收取边界外的干膜被切除的待贴膜产品。

进一步地，在步骤S700之后，还包括以下步骤：

S900、收集被切除的干膜。

进一步地，在步骤S300与步骤S500之间，还包括以下步骤：

S350、对干膜进行加热；

S450、将第一压膜台锁紧固定。

进一步地，步骤S350具体为：第一压膜台内的第一加热组件和/或第二压膜台内的第二加热组件对干膜进行加热。

进一步地，步骤S200具体包括以下步骤：

S201原料膜供应组件向分膜组件输送原料膜；

S202、分膜组件伸入第一压膜台与第二压膜台之间的间隙；

S203、分膜组件将原料膜的干膜与底膜分离；

S204、拉平组件将干膜压住，分膜组件离开第一压膜台与第二压膜台之间的间隙，使得干膜停留于待贴膜产品的正上方；

S205、拉平组件将干膜拉平。

进一步地，步骤S500具体为：气泵通过压膜气管向压膜气囊充气，压膜气囊充气后体积膨胀并将干膜紧密压合于待贴膜产品上。