[发明专利]无界面层的ZrO2基反铁电存储器在审
| 申请号： | 201910205699.8 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109920848A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;刘欢;刘艳;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 反铁电 无界面层 印刻效应 栅介质层 极化 衬底 唤醒 疲劳 非易失性存储设备 耐久特性 兼容性 漏电极 源电极 栅电极 可用 写入 两边 | ||
【权利要求书】：
1.一种无界面层ZrO2基反铁电存储器，自下而上包括衬底(1)、栅介质层(2)、栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，该源、漏电极位于衬底(1)的两边，其特征在于：栅介质层(2)采用无掺杂ZrO2材料，以避免唤醒效应、印刻效应和极化疲劳。
2.根据权利要求1所述的无界面层ZrO2基反铁电存储器，其特征在于，衬底(1)为半导体材料，包括硅Si，锗Ge，硅锗SiGe，绝缘体上硅SOI，绝缘体上锗GOI。
3.根据权利要求1所述的无界面层ZrO2基反铁电存储器，其特征在于栅电极(3)采用金属钨、金属钛、金属铜、金属铝、金属铂、金属铱、金属钌、氮化钨、氮化钛、氮化钽、氧化铱、氧化钌、碳化钨、碳化钛、硅化钨、硅化钛和硅化钽中的一种。
4.一种无界面层ZrO2基反铁电存储器，自下而上包括衬底(1)、栅介质层(2)、栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，该源、漏电极位于衬底的两边，其特征在于：栅介质层(2)采用含掺杂的ZrO2材料，以避免唤醒效应、印刻效应和极化疲劳。
5.根据权利要求4所述的无界面层ZrO2基反铁电存储器，所述含掺杂的ZrO2材料，其掺杂剂包括碳C、硅Si、镁Mg、铝Al、钇Y、氮N、锗Ge、锡Sn、锶Sr、铅Pb、钙Ca、钡Ba、钛Ti、钆Gd和镧La中的至少一种元素。
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