[发明专利]一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法在审
| 申请号： | 201910205994.3 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111725350A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 曾俞衡;闫宝杰;叶继春;张志;黄玉清;廖明墩;郭雪琪;杨清;王志学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 太阳电池 多晶 钝化 接触 结构 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：将多晶硅钝化接触结构在含水蒸气气氛下进行中低温热处理。
2. 根据权利要求1所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，其特征在于，所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至200-700℃并保温5 min以上。
3. 根据权利要求2所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，其特征在于，所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温5 min以上。
4. 根据权利要求3所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，其特征在于，所述中低温热处理为以每分钟15-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温20-30min。
5.根据权利要求1所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，其特征在于，所述含水蒸气气氛由水蒸气和惰性载气组成。
6.根据权利要求5所述的提升太阳电池中多晶硅钝化接触结构钝化性能的方法，其特征在于，所述含水蒸气气氛中水蒸气与惰性载气的流量比为0.01%-100%。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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