[发明专利]集成电路(IC)器件在审
申请号: | 201910206911.2 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN110858590A | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 金炫助;全众源 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 ic 器件 | ||
提供了一种集成电路(IC)器件,该集成电路(IC)器件包括逻辑单元,该逻辑单元具有由单元边界限定的区域。逻辑单元包括第一器件区域、器件隔离区域和第二器件区域。第一器件区域和第二器件区域布置为在第一方向上彼此间隔开,第一方向垂直于第二方向。器件隔离区域在第一器件区域和第二器件区域之间。第一器件区域在第二方向上的第一最大长度小于单元边界在第二方向上的宽度,并且第二器件区域在第二方向上的第二最大长度基本上等于单元边界在第二方向上的宽度。
技术领域
发明构思涉及集成电路(IC)器件,更具体地,涉及包括鳍式场效应晶体管的IC器件。
背景技术
近来,随着IC器件的按比例缩小快速地进展,不仅获得IC器件的高操作速度而且获得IC器件的操作准确性的兴趣已经增加。因此,需要发展一种具有这样的结构的IC器件,该结构能够根据晶体管的沟道类型提供改善的性能而且能够有效地利用有限的逻辑单元区域内的给定区域。
发明内容
发明构思提供一种集成电路(IC)器件,其具有即使器件区域的面积根据IC器件的按比例缩小而减小也可以根据晶体管中的每个沟道类型提供优良性能的结构,并且还具有提高的性能可通过提高有源区域的利用来提供的结构。
根据发明构思的一个方面,一种IC器件包括逻辑单元,该逻辑单元具有由单元边界限定的区域。逻辑单元包括第一器件区域、器件隔离区域和第二器件区域。第一器件区域和第二器件区域布置为在第一方向上彼此间隔开,第一方向垂直于第二方向。器件隔离区域在第一器件区域和第二器件区域之间。第一器件区域在第二方向上的第一最大长度小于单元边界在第二方向上的宽度,第二器件区域在第二方向上的第二最大长度基本上等于单元边界在第二方向上的宽度。
根据发明构思的另一个方面,一种IC器件包括:基板,包括在由单元边界限定的逻辑单元中的第一器件区域和第二器件区域;器件隔离区域,在基板中的第一器件区域和第二器件区域之间的沟槽中;第一鳍分隔绝缘部分,在基板上;以及第二鳍分隔绝缘部分,在第二器件区域上。第一器件区域和第二器件区域由基板中的沟槽限定并在第一方向上彼此间隔开。第一器件区域在第二方向上的长度与第二器件区域在第二方向上的长度不同。第二方向垂直于第一方向。第一器件区域包括在第二方向上延伸的第一鳍型有源区域。第二器件区域包括在第二方向上延伸的第二鳍型有源区域。第一鳍分隔绝缘部分在第一器件区域和单元边界之间。第一鳍分隔绝缘部分在第一方向上沿着单元边界延伸。第一鳍分隔绝缘部分具有在第二方向上的第一宽度,并且第一鳍分隔绝缘部分面对第一鳍型有源区域的一端。第二鳍分隔绝缘部分与第一鳍分隔绝缘部分间隔开,在第一方向上沿着单元边界延伸,并具有在第二方向上的第二宽度,在第二方向上的第二宽度小于在第二方向上的第一宽度。第二鳍分隔绝缘部分面对第二鳍型有源区域的一端。
根据发明构思的另一方面,一种IC器件包括在彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元之间的单元边界接触部分。限定第一逻辑单元的第一单元边界和限定第二逻辑单元的第二单元边界在单元边界接触部分处彼此相接。第一逻辑单元包括第一器件区域、第二器件区域、第一鳍分隔绝缘部分、以及第二鳍分隔绝缘部分的一部分。第一器件区域和第二器件区域在第一方向上彼此间隔开。第一器件区域包括在第二方向上延伸的第一鳍型有源区域,第二方向垂直于第一方向。第一鳍分隔绝缘部分具有第一内侧壁和第一外侧壁。第一内侧壁面对第一鳍型有源区域,并且第一外侧壁与单元边界接触部分对准。第二器件区域包括在第二方向上延伸的第二鳍型有源区域。第二鳍分隔绝缘部分在第一方向上沿着单元边界接触部分在与单元边界接触部分重叠的位置延伸。第二鳍分隔绝缘部分具有第二内侧壁和第二外侧壁。第二内侧壁面对第二鳍型有源区域。第二外侧壁位于第二逻辑单元内。
附图说明
从以下结合附图的详细描述,发明构思的示例实施方式将被更清楚地理解,附图中:
图1是根据发明构思的一些实施方式的集成电路(IC)器件的示例单元块的平面布局图;
图2是示出根据发明构思的实施方式的IC器件的主要部件的平面布局图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910206911.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的