[发明专利]一种WO3/MoO3复合电致变色膜的制备方法

权利要求书

1.一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤一：制备WO₃纳米棒阵列薄膜

(1)配制反应溶液；

(2)水热法制备WO₃纳米棒阵列薄膜。

步骤二：制备WO₃/MoO₃复合电致变色膜

(1)配制MoO₃电沉积液；

(2)采用电沉积法在WO₃纳米棒阵列上沉积MoO₃，制备WO₃/MoO₃复合电致变色膜。

2.如权利要求1所述的一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(1)的工艺参数为：以Na₂WO₄·2H₂O为前驱体，去离子水为溶剂，配制0.03mol·L^-1-0.05mol·L^-1的反应溶液，加入0.01mol·L^-1-0.03mol·L^-1的K₂C₂O₄·H₂O为结构导向剂，最后，滴加HCl调节溶液的pH值在1.4-1.6。

3.如权利要求1所述的一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(2)的工艺参数为：将清洁的导电玻璃放置在步骤一(1)中的反应液中，在175℃-185℃下水热反应20h-28h，反应结束后，将样品用去离子水洗涤，干燥，最后在530℃-570℃下进行退火处理，得到WO₃纳米棒阵列薄膜。

4.如权利要求1所述的一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(1)的工艺参数为：以Na₂MO₄为前驱体，去离子水为溶剂，在25℃-30℃下搅拌2h-3h，配制0.02mol·L^-1-0.04mol·L^-1的MoO₃电沉积液。

5.如权利要求1所述的一种WO₃/MoO₃复合电致变色膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(2)的工艺参数为：以步骤一(2)中制得的WO₃纳米棒阵列薄膜为工作电极，Pt为对电极，在步骤二(1)中的MoO₃电沉积液中，反应温度为25℃-30℃，沉积电压为900mV-1100mV下，电沉积40s-60s，制备WO₃/MoO₃复合电致变色膜。