[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入

权利要求书

1.一种离子植入系统，其包括：

离子植入机，其包括离子源室和反应器，所述反应器经配置以接收气态磷或砷掺杂剂前驱物材料且由其形成气态多原子磷或气态多原子砷，其中所述反应器构成流通回路或与流通回路流体连通地耦合，所述流通回路经布置以将气相物质递送到所述离子源室以在其中进行离子化从而形成用于植入于所述离子植入机中的衬底中的植入物质，并且其中所述反应器进一步经配置以接收掺杂剂前驱物材料，且分解前驱物材料以在所述反应器内以积累模式形成固体砷或固体磷，且在积累预定量的固体元素砷或磷之后接着使所述固体元素砷或磷蒸发，以产生呈多原子形式的气态砷或磷；及

气体供应组合件，其包括经布置以将气体混合物供应到所述离子植入机的一或多个气体供应器皿，其中所述气体混合物包括(i)到(viii)中的一个：(i)PH₃及PF₃，其中基于所述气体混合物的总体积，PH₃的浓度按体积计介于从40％到60％的范围内；(ii)PH₃及PF₅，其中基于所述气体混合物的总体积，PH₃的浓度按体积计介于从50％到75％的范围内；(iii)PF_X及H₂，其中x具有任一化学计量可接受值，且其中基于所述气体混合物的总体积，H₂的浓度按体积计不超过50％；(iv)PF_X、PH₃、H₂及惰性气体，其中x具有任一化学计量可接受值；(v)AsH₃及AsF₃，其中基于所述气体混合物的总体积，AsH₃的浓度按体积计介于从40％到60％的范围内；(vi)AsH₃及AsF₅，其中基于所述气体混合物的总体积，AsH₃的浓度按体积计介于从50％到75％的范围内；(vii)AsF_x及H₂，其中x具有任一化学计量可接受值，且其中基于所述气体混合物的总体积，H₂的浓度按体积计不超过50％；及(viii)AsF_x、AsH₃、H₂及惰性气体，其中x具有任一化学计量可接受值。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中x具有从3到5的值。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中PF_X包括PF₅。

4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体混合物包括(i)PH₃及PF₃。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体混合物包括(ii)PH₃及PF₅。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体混合物包括(iii)PF_X及H₂。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体混合物包括(iv)PF_X、PH₃、H₂及惰性气体。

8.根据权利要求7所述的离子植入系统，其中所述惰性气体包括选自由以下各项组成的群组的惰性气体：氩、氖、氮、氙、氦及其中的两者或更多的混合物。

9.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中AsF_x包括AsF₅。

10.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体混合物包括(v)AsH₃及AsF₃。