[发明专利]一种铜箔的表面处理方法

说明书

本发明公开一种铜箔的表面处理方法，其包括以下步骤：①绝缘膜材料各组分按重量份配比以及配制过程：改性PTFE 5～50份，本改性PTFE是改变它的溶解性，NMP溶剂5～31.5份，酮类溶剂5～13.5份，表面活性剂1～10份，将原料高速搅拌分散均匀，粘度调节在400～600mPa·s；②处理铜箔：将①中所得的粘性绝缘膜材料均匀涂布在铜箔表面，厚度约3～15μm，将涂覆了绝缘层的铜箔通过180～200℃烘箱，5～10min烘干溶剂，然后在氮气保护的条件下，350～380℃烧结3～30min，牵引至200℃环境的烘箱中保持200℃环境温度3～5分钟后让产品在烘箱里面自然冷却，烧结好的产品经过等离子设备进行表面粗化处理即得本产品，采用本技术方案后，压合绝缘层后获得的产品剥离强度大于1.0N/mm，插入损耗小于6dB/100mm。

技术领域：

本发明涉及一种铜箔的表面处理方法。

背景技术：

5G时代的到来，除了对线路板绝缘层要求低介电常数(Low D_k)，低介质损耗(LowD_f)外，对于表面铜箔也要求超低的峰值(粗糙度)，以改善信号传输时产生的“集肤效应”。

交变电流通过导体时，由于感应作用引起导体截面上电流分布不均匀，愈近导体表面电流密度越大，而非平均分布于整个导体的截面积中，电流将集中在导体表面流过，使导体的有效电阻增加，频率越高，集肤效应越显著，产生电路损耗越大，所以针对5G的高频要求，需要降低铜箔的峰值，而降低峰值会带来铜箔与绝缘层剥离强度的降低(峰值以6～10μm降低至0.2～1.0μm)，剥离强度可能会从1.8N/mm降低至0.5N/mm，给铜箔一面附上一层绝缘膜，在不降低铜箔峰值的前提下改善其与绝缘层的剥离强度，成为一种有意义的选择。

针对上述问题，急需发明一种绝缘膜处理铜箔表面来改善现有技术的不足，本发明主要通过一种铜箔的表面处理方法解决现有问题。

发明内容：

本发明的目的是为了克服上述现有技术的缺点，提供一种绝缘性好，具有低介电常数和低介质损耗特性的绝缘膜配方及其处理铜箔表面的工艺，处理后的铜箔能解决目前低峰值铜箔与绝缘层剥离强度矛盾的问题。

本发明的发明目的可以通过以下的技术方案来实现：一种铜箔的表面处理方法，其包括以下步骤：

①绝缘膜材料各组分按重量份配比以及配制过程：改性PTFE 5～50份，本改性PTFE是改变它的溶解性，NMP溶剂5～31.5份，酮类溶剂5～13.5份，表面活性剂1～10份，将原料高速搅拌分散均匀，粘度调节在400～600mPa·s；

②处理铜箔：将①中所得的粘性绝缘膜材料均匀涂布在铜箔表面，厚度约3～15μm，将涂覆了绝缘层的铜箔通过180～200℃烘箱，5～10min烘干溶剂，然后在氮气保护的条件下，350～380℃烧结3～30min，牵引至200℃环境的烘箱中保持200℃环境温度3～5分钟后让产品在烘箱里面自然冷却，烧结好的产品经过等离子设备进行表面粗化处理即得本产品。

采用本技术方案后，与现有技术相比，本技术方案具有以下优点：以改性PTFE为主通过合适的配方对超低峰值的铜箔进行表面涂覆，然后在一定条件下进行烧结，再进行等离子表面处理，压合绝缘层后获得的产品剥离强度大于1.0N/mm，插入损耗小于6dB/100mm。

具体实施方式：

下面对本技术作进一步说明。

实施例一的铜箔表面处理方法，其包括以下步骤：

①绝缘膜材料各组分按重量份配比以及配制过程：改性PTFE(即改性聚四氟乙烯)5份，本改性PTFE是改变它的溶解性，NMP溶剂(即N-甲基吡咯烷酮)31.5份，N-甲基吡咯烷酮(酮类溶剂)13.5份，表面活性剂5份，将原料高速搅拌分散均匀，粘度调节在400mPa·s；