[发明专利]一种桥式驱动器用隔离式上桥自举电荷泵电路及控制方法有效
申请号: | 201910208810.9 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN109921631B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 贺继鹏;杨晓萍;王俊峰;王云;孔令红;卫丽超 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 器用 隔离 式上桥 电荷 电路 控制 方法 | ||
1.一种桥式驱动器用隔离式上桥自举电荷泵电路,其特征在于,包括逐级连接的方波发生器、两组脉冲转换电路、开关电路和变压器输出电路;
所述的方波发生器用于产生高电平为VH和低电平为0的方波;
所述的两组脉冲转换电路并联在方波发生器和开关电路之间,用于将方波转换为正负交替的脉冲信号输入开关电路;
所述变压器输出电路包括初级绕组T1和T2,以及次级绕组T3;初级绕组T1和T2采用双绕组方式首尾连接作为输入端连接开关电路,公共端连接电压源输入端口001;次级绕组T3采用单绕组方式作为输出端,次级绕组T3的两端分别为电压输出正端口002和电压输出负端口003;
所述的开关电路包括N型VDMOS Q3和P型VDMOS Q4;
N型VDMOS Q3的漏极连接初级绕组T1,源极接地;
P型VDMOS Q4的漏极接地,源极连接初级绕组T2;
所述的两组脉冲转换电路由电容C2和电阻R4、电容C3和电阻R5组成;电容C2和C3并接在方波发生器上,电容C2的另一端并接电阻R4和N型VDMOS Q3的栅极,电阻R4的另一端接地;电容C3的另一端并接电阻R5和P型VDMOS Q4的栅极,电阻R5的另一端并接P型VDMOS Q4的源极;
所述方波发生器采用CD40106多路门电路、CD4069多路门电路或NE555振荡器;当使用CD40106多路门电路或CD4069多路门电路时,将剩余门电路进行并联;芯片电源端接电压源输入端口001;
所述的一种桥式驱动器用隔离式上桥自举电荷泵电路在控制时包括,
a.方波转换为脉冲信号;
方波发生器产生的方波由0变为VH时,由于电容C2和电容C3两端电压差不能突变,此时电容C2和电容C3的另一端也变为高电平VH;随后电容C2通过电阻R4逐渐放电至电荷为0,电容C3通过电阻R5逐渐放电至电荷为0,此时电容C2和电容C3两端压差为VH,产生正脉冲信号;
方波发生器产生的方波由VH变为0时,为保证电压差不变,电容C2和电容C3另一端电压变为-VH,产生负脉冲信号;随后电容C2通过电阻R4逐渐充电至电荷为0,电容C3通过电阻R5逐渐充电至电荷为0;
b.开关电路根据脉冲信号控制后级对应的变压器绕组轮换工作;
开关电路中的一个N型VDMOS Q3和P型VDMOS Q4组成推挽结构,分别接收脉冲转换电路产生的正负脉冲信号;
当为正脉冲信号时,N型VDMOS Q3导通,P型VDMOS Q4导通截止,当为负脉冲信号时,P型VDMOS Q4导通,N型VDMOS Q3截止,进而控制后级对应的变压器绕组轮换工作;
c.变压器输出电路根据开关电路的控制选择工作方式;
当前级N型VDMOS Q3导通时,绕组T1工作,次级绕组T3向储能电容充电;前级N型VDMOSQ3关断,P型VDMOS Q4导通,绕组T2和P型VDMOS Q4实现变压器的磁复位;
当前级P型VDMOS Q4导通时,绕组T2工作,次级绕组T3向储能电容充电;前级N型VDMOSQ3导通,P型VDMOS Q4关断,绕组T1和N型VDMOS Q3组成的回路实现变压器的磁复位;
N型VDMOS Q3和P型VDMOS Q4轮换导通,导通时间为脉冲电压大于N型VDMOS Q3和P型VDMOS Q4开关阈值时的脉冲宽度。
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