[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201910209001.X 申请日: 2019-03-19
公开(公告)号: CN110970068B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 崔谨镐;吴昇昱;郑镇一 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;H03K19/003;H03K19/0175;H03L7/18
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【说明书】:

本申请公开了半导体器件。一种半导体器件包括:命令合成电路,其与第一分频时钟信号同步以基于偏移信号来将命令移位,并且与第二分频时钟信号同步以从经移位的命令产生命令合成信号。半导体器件还包括:选通控制信号合成电路,其与第二分频时钟信号同步以从选通控制信号产生选通合成信号。半导体器件还包括驱动控制电路,其基于选通合成信号从命令合成信号和驱动信号中的任意一个产生驱动控制信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年10月1日提交的申请号为10-2018-0117096的韩国申请的优先权,其通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及执行片内终结(on-die termination)操作的半导体器件。

背景技术

随着快速半导体系统中包括的半导体器件之间的传输信号的摆动宽度逐渐减小,由于阻抗不匹配已在半导体器件之间的接口级处发生了传输信号的反射。由于工艺条件的变化,可能会发生阻抗不匹配。因此,阻抗匹配电路(也被称为“片内终结(ODT)电路”)已被用在半导体系统中以抑制传输信号的反射。

同时,半导体器件被设计为满足一些定时参数的条件,其中一个定时参数由与执行ODT操作的时间段相对应的‘tADC’来表示。定时参数‘tADC’表示在ODT操作期间改变电阻值‘RTT’所花费的时间。

发明内容

根据实施例,一种半导体器件包括命令合成电路、选通(strobe)控制信号合成电路和驱动控制电路。命令合成电路与第一分频(division)时钟信号同步以基于偏移(offset)信号来将命令移位,并且与第二分频时钟信号同步以从经移位的命令产生命令合成信号。选通控制信号合成电路与第二分频时钟信号同步,以从选通控制信号产生选通合成信号。驱动控制电路基于选通合成信号从命令合成信号和驱动信号中的任意一个产生驱动控制信号。

根据另一个实施例,一种半导体器件包括命令合成电路、选通控制信号合成电路和驱动控制电路。命令合成电路与第一分频时钟信号和第三分频时钟信号同步以基于偏移信号来将命令移位,并且与第二分频时钟信号和第四分频时钟信号同步以从经移位的命令产生命令合成信号。选通控制信号合成电路与第二分频时钟信号和第四分频时钟信号同步以从选通控制信号产生选通合成信号。驱动控制电路基于选通合成信号从命令合成信号和驱动信号中的任意一个产生驱动控制信号。

根据又一实施例,一种半导体器件包括命令合成电路、选通控制信号合成电路和驱动控制电路。命令合成电路与第一分频时钟信号同步以基于偏移信号来将第一命令或第二命令移位,并且与第二分频时钟信号同步以从第一命令或第二命令的经移位的命令产生第一命令合成信号和第二命令合成信号。选通控制信号合成电路与第二分频时钟信号同步,以从选通控制信号产生选通合成信号。驱动控制电路基于选通合成信号从第一命令合成信号和第二命令合成信号或者第一驱动信号和第二驱动信号产生第一驱动控制信号和第二驱动控制信号。

附图说明

图1示出了图示根据本公开的实施例的半导体器件的配置的框图。

图2示出了图示包括在图1的半导体器件中的命令合成电路的配置的框图。

图3示出了包括在图2的命令合成电路中的命令移位电路的配置。

图4示出了包括在图2的命令合成电路中的内部命令发生电路的配置。

图5示出了包括在图2的命令合成电路中的信号传输电路的配置。

图6示出了包括在图1的半导体器件中的选通控制信号合成电路的配置的框图。

图7示出了图示包括在图1的半导体器件中的驱动控制电路的配置的电路图。

图8示出了图示根据本公开的实施例的半导体器件的操作的时序图。

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