[发明专利]一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用

权利要求书

1.一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法，其特征在于，包括：先通过刻蚀去除1/5-1/2深度的n-AlGaN层，再对刻蚀后的n-AlGaN层表面进行高温处理，最后在经所述高温处理后的n-AlGaN层表面制备n型欧姆接触金属；

所述高温处理是指：在保护气体条件下，利用工艺气体对刻蚀后的n-AlGaN层表面进行所述高温处理；所述工艺气体为N₂与NH₃的混合气体，或为H₂与NH₃ 的混合气体；

所述高温处理的温度为800-1200℃；

所述高温处理的压力为50-150mbar。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温处理的温度为900-1100℃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述高温处理的压力为80-120 mbar。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述高温处理过程中，升温及降温速率为1-3℃/sec。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当混合气体为NH₃与N₂时，流量比为1:（1-3）；当混合气体为NH₃与H₂时，流量比为1:（1-3）。

6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包含权利要求1-5任一所述方法。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为：紫外发光二极管、紫外激光二极管、紫外光电探测器、高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、生物探测传感器。

8.一种深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

（1）在衬底表面依次外延生长AlN层、AlN/AlGaN层、n-AlGaN层、多量子阱层、p-AlGaN层及p-GaN层；

（2）去除部分区域对应的p-GaN层、p-AlGaN层、多量子阱层，以及采用权利要求1-5任一所述方法去除n-AlGaN层，并进行所述高温处理，处理结束后降温至室温；

同时在露出的n-AlGaN层表面制备出深刻蚀沟道，延伸至衬底表面，将材料划分成各个独立单元；

（3）在步骤（2）中经所述高温处理后的n-AlGaN层表面制备n型欧姆接触金属，退火；在p-GaN层表面制作p型欧姆接触金属，退火；

（4）先在所得材料表面整体沉积绝缘层，再将n型欧姆接触金属和p型欧姆接触金属对应的绝缘层去除，露出相应的n型欧姆接触金属和p型欧姆接触金属，并在其表面制得n电极和p电极；

（5）进行后处理，制得倒装结构的深紫外LED芯片。

9.根据权利要求8所述的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述n型欧姆接触金属的退火工艺条件为：温度600~1000℃，退火时间20~60s，退火氛围气体为N₂；

所述n型欧姆接触金属为钛、铝、镍、金、钒、铬中的一种或几种组合或其合金。

10.根据权利要求9所述的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述p型欧姆接触金属的退火工艺条件为：温度350~650℃，退火时间50~300s，退火氛围气体为O₂；所述p型欧姆接触金属为镍、银、金、钛、钯、钨中的一种或几种或其合金。

11.根据权利要求9所述的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，所述电极的金属材料选自铬、铂、钛、金、铝、铟、钒、钯中的一种或几种或其合金。

12.权利要求8-11任一所述制备方法制得的深紫外LED芯片。