[发明专利]有机发光显示器及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910209398.2 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN109904208B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 孙阔;谢春燕;赵攀;胡文博;郭晓亮;吴建鹏;何剑;张嵩;王品凡;谷朋浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种有机发光显示器及其制备方法和显示装置,该有机发光显示器包括:基板,所述基板具有贯穿其的开口;像素阵列,设置在所述基板上,包括多个像素;隔离部,设置在所述多个像素与所述开口之间,所述隔离部围绕所述开口;其中所述隔离部包括:层间介电层,设置在所述基板上,平坦化层,设置在所述层间介电层远离所述基板一侧的表面上。本公开实施例提供的有机发光显示器,能够提高水氧阻挡效率,提高OLED器件的寿命。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示器及其制备方法、以及显示装置。
背景技术
随着有机发光显示装置的发展,其不断减轻的重量和变小的体积扩大了有机发光显示装置的应用范围。随着当前对大屏占比的需日益增长,需要在屏幕的发光区实现打孔,进而将摄像头、传感器等必须的正面功能部件容纳其中,因此显示区的打孔技术受到了广泛的重视。
由于有机发光显示器对氧气和水汽非常敏感,渗入到发光层内部的水氧会严重的影响器件的发光寿命,因此,在显示区进行打孔之后,如何隔断有效显示(AA)区中的孔区域(TH),保障封装信赖性,成了亟需解决的问题。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种有机发光显示器件及其制备方法、以及显示装置,以用于提高水氧阻挡效率,提高有机发光显示器件的寿命。
本公开提供一种有机发光显示器,包括:基板,所述基板具有贯穿其的开口;像素阵列,设置在所述基板上,包括多个像素;隔离部,设置在所述多个像素与所述开口之间,所述隔离部围绕所述开口;其中所述隔离部包括:层间介电层,设置在所述基板上,平坦化层,设置在所述层间介电层远离所述基板一侧的表面上。
在一示例性实施方式中,所述隔离部还包括金属层,所述金属层设置在所述层间介电层的两侧,所述金属层与所述多个像素的栅极金属层为同层金属层。
在一示例性实施方式中,所述隔离部还包括设置在所述金属层与所述层间介电层之间的保护层。
在一示例性实施方式中,所述层间介电层的高度大于所述有机发光显示器的发光层膜层的厚度。
在一示例性实施方式中,所述有机发光显示器还包括设置在所述像素阵列与所述隔离部之间的封框部。
本公开还提供一种显示装置,包括如上所述的有机发光显示器。
本公开还提供一种有机发光显示器的制备方法,包括:提供基板,所述基板具有第一区域、第三区域以及所述第一区域与所述第三区域之间的第二区域;在所述第一区域中形成多个像素;在所述第二区域中形成隔离部,所述隔离部包括设置在所述基板上的层间介电层和设置在所述层间介电层远离所述基板一侧的表面上的平坦化层;在所述第三区域中形成贯穿所述基板的开口。
在一示例性实施方式中,形成所述多个像素和所述隔离部的步骤包括:在所述基板上形成金属层,所述第一区域中的金属层形成为所述多个像素的栅极层;在所述第二区域中的所述金属层中形成贯穿所述金属层的沟道;在述第一区域中的金属层、所述第二区域中的所述金属层上和所述沟道中形成层间介电层,在所述层间介电层上形成平坦化层。
在一示例性实施方式中,有机发光显示器的制备方法还包括刻蚀所述第一区域中的阳极层和所述第二区域中的所述金属层。
在一示例性实施方式中,有机发光显示器的制备方法还包括在形成所述层间介电层之前,在所述第二区域中的所述金属层上和所述沟道中形成保护层。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的