[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910210570.6 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109920731B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有多晶硅有源层；
在所述多晶硅有源层上依次形成栅绝缘层和多晶硅栅极层；
形成覆盖所述栅绝缘层和所述多晶硅栅极层的侧墙覆盖层；
执行化学机械抛光工艺，去除所述多晶硅栅极层上方的部分厚度的所述侧墙覆盖层；
执行第一次离子注入工艺向所述多晶硅栅极层注入离子；
刻蚀去除位于所述多晶硅栅极层两侧的部分侧墙覆盖层以形成侧墙；
执行第二次离子注入工艺向所述多晶硅栅极层和位于所述侧墙两侧的所述多晶硅有源层中注入离子，形成源极掺杂区和漏极掺杂区；
其中，所述侧墙覆盖层包括依次覆盖所述栅绝缘层和所述多晶硅栅极层的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；
在执行化学机械抛光工艺步骤中，去除所述多晶硅栅极层上方的所述第二氧化硅层和所述氮化硅层。
2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底和所述多晶硅有源层之间形成有缓冲层。
3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述多晶硅有源层采用化学气相沉积法形成。
4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，第二次离子注入工艺和第一次离子注入工艺的注入离子类型相同。
5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在第一次离子注入中注入N型杂质离子，注入能量为10～20keV,注入剂量为1E15atoms/cm2～5E15atoms/cm2。
6.如权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在第二次离子注入中注入N型杂质离子，注入能量为25～35keV,注入剂量为1E14atoms/cm2～5E14atoms/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
