[发明专利]ONO介质层的形成方法在审
| 申请号： | 201910210573.X | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109904069A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张怡;沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底层氧化物 隧穿氧化层 浮栅层 中间氮化硅层 中间氮化物 衬底表面 氧化物层 顶层 衬底 炉管 | ||
1.一种ONO介质层的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面形成有隧穿氧化层以及位于隧穿氧化层之上的浮栅层；
在所述浮栅层上形成底层氧化物层；
在所述底层氧化物层上形成中间氮化物层；以及
在所述中间氮化硅层上形成顶层氧化物层，其中，所述顶层氧化物层是在H2和O2的气体环境中以ISSG氧化方法形成。
2.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，采用ISSG氧化方法氧化部分所述中间氮化物层而形成所述顶层氧化物层。
3.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述ISSG氧化方法是在900℃-1200℃的温度范围内进行的。
4.根据权利要求3所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述ISSG氧化方法形成所述顶层氧化物层的反应时间为25s-50s。
5.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述ISSG氧化方法是在RTP设备中进行的。
6.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，在H2和O2的气体环境中，O2和H2的体积比例为2:1-5:1。
7.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述底层氧化物层采用热氧化法形成。
8.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述中间氮化物层采用低压化学气相法形成。
9.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述底层氧化物层和所述顶层氧化物层为二氧化硅层，所述中间氮化物层为氮化硅层。
10.根据权利要求1或9所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述底层氧化物层的厚度为所述中间氮化物层的厚度为所述顶层氧化物层的厚度为
11.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述ONO介质层形成于浮栅与控制栅之间。
12.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法，其特征在于，所述ONO介质层应用于Flash 90shrink产品制程。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910210573.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：红外吸收掺杂硅及其制备方法
- 下一篇：一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
