[发明专利]ONO介质层的形成方法在审

专利信息
申请号: 201910210573.X 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN109904069A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 张怡;沈思杰 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 底层氧化物 隧穿氧化层 浮栅层 中间氮化硅层 中间氮化物 衬底表面 氧化物层 顶层 衬底 炉管
【权利要求书】:

1.一种ONO介质层的形成方法,其特征在于,包括:

提供衬底,所述衬底表面形成有隧穿氧化层以及位于隧穿氧化层之上的浮栅层;

在所述浮栅层上形成底层氧化物层;

在所述底层氧化物层上形成中间氮化物层;以及

在所述中间氮化硅层上形成顶层氧化物层,其中,所述顶层氧化物层是在H2和O2的气体环境中以ISSG氧化方法形成。

2.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,采用ISSG氧化方法氧化部分所述中间氮化物层而形成所述顶层氧化物层。

3.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述ISSG氧化方法是在900℃-1200℃的温度范围内进行的。

4.根据权利要求3所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述ISSG氧化方法形成所述顶层氧化物层的反应时间为25s-50s。

5.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述ISSG氧化方法是在RTP设备中进行的。

6.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,在H2和O2的气体环境中,O2和H2的体积比例为2:1-5:1。

7.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述底层氧化物层采用热氧化法形成。

8.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述中间氮化物层采用低压化学气相法形成。

9.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述底层氧化物层和所述顶层氧化物层为二氧化硅层,所述中间氮化物层为氮化硅层。

10.根据权利要求1或9所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述底层氧化物层的厚度为所述中间氮化物层的厚度为所述顶层氧化物层的厚度为

11.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述ONO介质层形成于浮栅与控制栅之间。

12.根据权利要求1所述的ONO介质层的形成方法,其特征在于,所述ONO介质层应用于Flash 90shrink产品制程。

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