[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法和电子器件的制造方法

说明书

本发明提供光掩模、其制造方法、光掩模坯体、电子器件的制造方法，防止静电破坏的产生。光掩模(10)具有：转印用图案(35)，其在透明基板(21)的主表面上对光学膜进行图案化而形成；以及透光环状部(33)，其包围所述转印用图案(35)的外周；以及外周区域(31)，其包围所述透光环状部(33)的外周。在所述外周区域(31)中，在所述透明基板(21)上形成有透明导电膜(25)，并且，在所述透明导电膜(25)上形成有对所述光学膜进行图案化而成的标记图案。

技术领域

本发明涉及光掩模、光掩模的制造方法以及电子器件的制造方法。

背景技术

在平板显示器和半导体集成电路等电子器件的制造中使用了光刻技术。在应用于这些电子器件的制造的光刻技术中，使用具有转印图案的光掩模，该转印图案是在透明基板的一个主表面上对遮光膜等光学膜进行图案化而形成的。

在光掩模的制造过程或使用光掩模的过程中，由于光掩模与其他设备等的接触或外来的电磁波等的影响，光掩模的一部分有时带静电。在转印用图案内，在隔着微小间隔的多个孤立部分之间产生了由静电引起的电位差的情况下，有时会产生放电而使图案被破坏，成为缺陷。

针对因产生了由于光掩模的带电而引起的放电时的冲击而在图案中产生缺陷的问题，提出有在光掩模基板上形成具有透光性和导电性的防静电破坏膜并在其之上设置有遮光膜的光掩模坯体、以及对该光掩模坯体进行图案化后的光掩模(专利文献1)。此外，提出有在玻璃基板的遮光膜形成面上隔着防反射膜而设置有透明导电膜的光掩模基板(专利文献2)。

专利文献1：日本特开2014-81449号公报

专利文献2：日本特开2014-134667号公报

发明内容

在使用专利文献1的光掩模利用曝光装置进行图案转印的情况下，曝光光的透射率由于防静电破坏膜而降低。因此，存在如下的问题：为了得到转印所需要的光量，曝光所需要的时间变长，使吞吐量下降。

在专利文献2的光掩模中，通过隔着防反射膜而形成透明导电膜，可减轻在专利文献1中产生的透射率降低的问题。但是，由于在透明基板的整个面上形成防反射膜和透明导电膜时，无法完全防止产生该防反射膜和透明导电膜各自的膜厚或膜质的面内偏差，因此，存在无法确保光学特性的面内均匀性的问题。在产生光学特性的面内偏差的情况下，无法正确地进行图案的转印。特别是，平板显示器用的光掩模包括面积大的光掩模在内存在多种尺寸，因此，在成膜装置内，难以消除膜厚的面内偏差。

本发明的一个方面的目的在于提供一种防止静电破坏的产生的光掩模等。

(第1方式)

本发明的第1方式是一种光掩模，

其在透明基板的主表面上具有：

转印用图案，其是对光学膜进行图案化而形成的；

透光环状部，其包围所述转印用图案的外周；以及

外周区域，其包围所述透光环状部的外周，

在所述外周区域中，在所述主表面上层叠有透明导电膜和对所述光学膜进行图案化而成的标记图案。

(第2方式)

本发明的第2方式是根据上述第1方式所述的光掩模，其中，

在所述外周区域中，所述透明导电膜形成于所述透明基板与所述光学膜之间。

(第3方式)

本发明的第3方式是根据上述第1方式所述的光掩模，其中，

在所述外周区域中，所述光学膜形成于所述透明基板与所述透明导电膜之间。

(第4方式)