[发明专利]使用注入防止金属损失

说明书

本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。

技术领域

本发明的实施例涉及使用注入防止金属损失。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计中的技术进步产生了多代IC，其中每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常已经增加，而几何尺寸(例如，可以使用制造工艺创建的最小部件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

随着器件的按比例缩小，制造商已经开始使用新的不同的材料和/或材料的组合来促进器件的按比例缩小。缩小范围单独和与新的和不同的材料组合也带来了在上一代更大几何尺寸下可能没有提出的挑战。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：介电层，位于衬底上方，其中，所述介电层具有靠近所述衬底的下表面和远离所述衬底的顶面；以及导电部件，设置为穿过所述介电层，其中，所述导电部件与所述介电层直接接触，并且所述介电层包括注入物质，所述介电层中的注入物质的浓度在所述介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且所述注入物质的浓度在朝向所述介电层的下表面的方向上从所述峰值浓度降低。

本发明的另一实施例提供了一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：在介电层中沉积导电部件，其中，所述导电部件与所述介电层直接接触；在沉积所述导电部件之后，将注入物质注入到所述介电层中；以及在注入所述注入物质之后，通过第一平坦化工艺去除所述导电部件的部分。

本发明的又一实施例提供了一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：在具有导电材料的衬底上方沉积介电材料；在所述介电材料中形成开口以暴露所述导电材料；在所述开口中沉积导电部件，并且所述导电部件直接接触所述导电材料；实施第一注入工艺以将注入物质注入在所述介电材料中；以及在实施所述第一注入工艺之后，实施第一平坦化工艺以去除所述导电部件的部分。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的在用于形成导电部件的示例性方法期间的阶段处的中间结构的三维视图。

图2至图9是根据一些实施例的在用于形成导电部件的示例性方法期间的各个阶段处的相应中间结构的截面图。

图10是图6的局部放大图。

图11是图7的局部放大图。

图12是图9的局部放大图。

图13至图16是根据一些实施例的在用于形成导电部件的另一示例性方法期间的各个阶段处的相应中间结构的截面图。

图17是图13的局部放大图。

图18是图16的局部放大图。

具体实施方式