[发明专利]SONOS闪存芯片编程电压筛选方法

权利要求书

1.一种SONOS闪存芯片编程电压筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供参考产品，所述参考产品和被测试产品上包括多个工艺条件相同的SONOS闪存芯片，所述SONOS闪存芯片包括多个单元结构，各所述单元结构包括选择管和SONOS存储管，SONOS为硅-氧化层-氮化层-氧化层-硅的简称；

各所述SONOS闪存芯片包括电荷泵，由所述电荷泵为对应的所述SONOS闪存芯片提供编程正电压；

所述参考产品中包括编程正电压的测量模块；

所述被测试产品中不包括编程正电压的测量模块，用以节省芯片面积；

步骤二、在弱编程条件下对所述参考产品进行参考条件测试，所述弱编程条件为对相应的所述单元结构在擦除状态下进行写“0”时所加的电压条件；

所述参考条件测试包括如下分步骤：

步骤21、采用编程正电压的上限规格值对相应的各所述单元结构进行弱编程，对弱编程的时间进行控制，并统计出各所述单元结构对应的样品的存储状态由“0”变成“1”对应的编程成功时间，之后对所述编程成功时间和编程成功样品数量进行统计分析，根据统计分析得到所述编程正电压的上限规格值对应的第一编程时间下限值；

步骤22、采用编程正电压的下限规格值对相应的各所述单元结构进行弱编程，对弱编程的时间进行控制，并统计出各所述单元结构对应的样品的存储状态由“0”变成“1”对应的编程成功时间，之后对所述编程成功时间和编程成功样品数量进行统计分析，根据统计分析得到所述编程正电压的下限规格值对应的第二编程时间上限值；

步骤三、采用所述第一编程时间下限值和所述第二编程时间上限值为规格条件对所述被测试产品进行编程电压筛选测试，包括如下分步骤：

步骤31、对所述被测试产品的所述SONOS闪存芯片的所述单元结构进行擦除操作，然后对所述SONOS闪存芯片进行弱编程，编程时间为所述第一编程时间下限值；之后对所述SONOS闪存芯片的所述单元结构进行读取操作，如果所述SONOS闪存芯片的所述单元结构的存储状态保持为“0”，则表示所述SONOS闪存芯片的编程正电压小于上限规格值；反之，如果所述SONOS闪存芯片的所述单元结构的存储状态转变为“1”，则表示所述SONOS闪存芯片的编程正电压大于等于上限规格值；

步骤32、对所述被测试产品的所述SONOS闪存芯片的所述单元结构进行擦除操作，然后对所述SONOS闪存芯片进行弱编程，编程时间为所述第二编程时间上限值；之后对所述SONOS闪存芯片的所述单元结构进行读取操作，如果所述SONOS闪存芯片的所述单元结构的存储状态转变为“1”，则表示所述SONOS闪存芯片的编程正电压大于下限规格值；反之，如果所述SONOS闪存芯片的所述单元结构的存储状态保持为“0”，则表示所述SONOS闪存芯片的编程正电压小于等于下限规格值。

2.如权利要求1所述的SONOS闪存芯片编程电压筛选方法，其特征在于：各所述单元结构中的所述选择管和所述SONOS存储管都为N型器件，所述选择管的源极接源线，所述选择管的漏极连接所述SONOS存储管的源极，所述SONOS存储管的漏极连接位线，所述选择管的栅极连接第一字线，所述SONOS存储管的栅极连接第二字线。

3.如权利要求2所述的SONOS闪存芯片编程电压筛选方法，其特征在于：所述弱编程条件为：

所述源线浮置；

所述第一字线连接电源电压；

所述第二字线连接所述编程正电压；

所述位线连接位线正电压。

4.如权利要求2所述的SONOS闪存芯片编程电压筛选方法，其特征在于：所述SONOS闪存芯片的强编程条件为对相应的所述单元结构在擦除状态下进行写“1”时所加的电压条件，包括：

所述源线浮置；

所述第一字线连接电源电压；

所述第二字线连接所述编程正电压；

所述位线连接编程负电压。

5.如权利要求1所述的SONOS闪存芯片编程电压筛选方法，其特征在于：所述参考产品中的所述编程正电压的测量模块包括编程正电压的测量模式设置模块和测量管脚。