[发明专利]衬底处理设备和方法在审
申请号: | 201910211553.4 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN110323156A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | D·皮埃罗;C·T·赫布施莱布;W·克纳彭;B·琼布洛德;S·范阿尔德;K·胡本;T·奥斯特拉肯;C·德里德;L·吉迪拉 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 反应室 衬底处理设备 固持装置 照明系统 衬底架 固持 辐照 顶表面 辐射 配置 | ||
1.一种衬底处理设备,其包括:
反应室;以及
衬底架,其用于在所述反应室中提供多个衬底,所述衬底架包括多个间隔开的衬底固持装置,所述衬底固持装置被配置成以间隔开的关系固持所述多个衬底,其中所述设备包括照明系统,所述照明系统被构造和布置成将在100到500纳米的范围内的紫外辐射从所述衬底架的一侧辐照到所述衬底架中的所述衬底中的至少一个衬底的顶表面上。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备包括用于加热所述反应室中的所述衬底的加热器。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备被设置有衬底架旋转装置,所述衬底架旋转装置被构造和布置成使所述衬底架围绕竖轴旋转,且所述照明系统被布置成从所述竖轴水平地位移。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述照明系统被构造和布置成将所述辐射束从所述衬底架的一侧向下发射到固持在所述衬底架中的所述衬底的顶表面,所述发射的角度相对于垂直于所述衬底的所述表面的线介于60到90°之间。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述照明系统被设置有辐射透射或反射表面以将所述紫外辐射导引到所述衬底。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述反应室受到形成阻挡物并至少部分地充当所述辐射透射表面的工艺管限制,且所述照明系统设置在所述反应室外部,并被构造和布置成通过所述辐射透射表面将所述紫外辐射辐照到所述反应室中。
7.根据权利要求5所述的设备,其中所述设备被设置有净化系统以用于净化所述反应室中的辐射透射或反射表面。
8.根据权利要求5所述的设备,其中包括所述辐射透射或反射表面的所述照明系统部分地设置在所述反应室内。
9.根据权利要求8所述的设备,其中至少一个喷射器设置在所述反应室内以用于将流体提供到所述反应室中,且所述照明系统被构造和布置成通过所述喷射器将所述辐射提供到所述衬底。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述设备被构造和布置成通过所述喷射器提供净化或处理气体。
11.根据权利要求1所述的设备,其中所述照明系统包括多个部分以将紫外辐射从多个侧辐照到所述衬底架中的所述衬底。
12.根据权利要求1所述的设备,其中所述照明系统具有螺旋形状以将紫外辐射从多个侧辐照到所述衬底架中的所述衬底。
13.根据权利要求5所述的设备,其中至少一个喷射器设置在所述反应室内以用于将流体提供到所述反应室中,且所述设备被设置有控制系统以用于控制阀以在所述反应室中提供流体,以便将层沉积在所述衬底上。
14.根据权利要求13所述的设备,其中所述控制系统被设置有程序,所述程序在所述控制系统上运行时改进在层沉积于所述辐射透射或反射表面上之后的所述辐射透射或反射表面的透射率。
15.根据权利要求13所述的设备,其中用于将流体提供到所述反应室的所述阀连接到包括氧化流体的流体存储装置,且所述控制系统控制所述阀以在所述反应室中提供所述氧化流体,以便氧化沉积在所述辐射透射或反射表面上的层,以改进所述层的透射率。
16.根据权利要求13所述的设备,其中用于将流体提供到所述反应室的所述阀连接到包括蚀刻剂流体的流体存储装置,且所述控制器控制所述阀以在所述反应室中提供所述蚀刻剂,以便蚀刻掉沉积在所述辐射透射或反射表面上的层,以改进所述表面的透射率。
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