[发明专利]扇出型LED的封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201910211772.2 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN109755375A 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L25/075
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 封装 重新布线层 封装层 封装结构 金属引线柱 金属凸块 扇出型 显露 超高分辨率 出光面 电极 包覆 扇出 小线 侧面 制作
【权利要求书】:

1.一种扇出型LED的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:

重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;

LED芯片,位于所述重新布线层的第二面,所述LED芯片的电极上具有金属引线柱,所述金属引线柱由第一封装层封装,所述金属引线柱显露于所述第一封装层并与所述重新布线层连接;

第二封装层,包覆所述LED芯片的侧面,所述LED芯片的出光面显露于所述第二封装层;

金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面,以通过所述重新布线层实现所述LED芯片的电性引出。

2.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述LED芯片包括RGB三基色LED芯片。

3.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述LED芯片呈阵列排列于所述重新布线层的第二面。

4.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述金属引线柱的材料包括铜、金、银中的一种。

5.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述第二封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

6.根据权利要求1所述的扇出型LED的封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

7.一种电子显示屏,其特征在于,所述电子显示屏包含如权利要求1~6任意一项所述的扇出型LED的封装结构。

8.根据权利要求7所述的电子显示屏,其特征在于:所述电子显示屏的点距不大于0.5mm。

9.一种晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括步骤:

1)提供一LED晶圆,所述LED晶圆的第一面具有电极,在所述电极上形成金属引线柱;

2)采用第一封装层封装所述金属引线柱,并使所述金属引线柱显露于所述第一封装层;

3)切割所述LED晶圆,以获得独立的LED芯片;

4)提供一支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;

5)将所述LED芯片固定于所述分离层,所述LED芯片的所述金属引线柱背向所述分离层;

6)采用第二封装层封装所述LED芯片,并使所述金属引线柱显露于所述第二封装层;

7)于所述第二封装层上制作重新布线层,所述重新布线层的第一面与所述金属引线柱连接;

8)于所述重新布线层的第二面形成金属凸块,以实现所述LED芯片的电性引出;

9)基于所述分离层剥离所述LED芯片及所述支撑基底,露出所述第二封装层及所述LED芯片。

10.根据权利要求9所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述LED芯片包括RGB三基色LED芯片。

11.根据权利要求9所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:步骤5)中的所述LED芯片呈阵列排列固定于所述分离层。

12.根据权利要求9所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。

13.根据权利要求9所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述步骤1)采用打线工艺于所述LED晶圆的电极上形成所述金属引线柱。

14.根据权利要求9所述的晶圆级扇出型LED的封装方法,其特征在于:所述金属引线柱的材料包括铜、金、银中的一种。

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