[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 201910211946.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110299235A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 藤森信彦 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 烧结磁体 烧结体 加热 烧结工序 成形体 制造 热处理工序 热处理 成形工序 合金粉末 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其是满足下述式(1)的R-T-B系烧结磁体的制造方法，
[T]/55.85＞14[B]/10.8 (1)
[T]为以质量％表示的T的含量，[B]为以质量％表示的B的含量，
所述R-T-B系烧结磁体含有：
R：29.5质量％～35.0质量％，其中，R为稀土元素之中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种；
B：0.80质量％～0.91质量％；
Ga：0.2质量％～1.0质量％；以及
T：61.5质量％～69.5质量％，其中，T为Fe和Co，T的90质量％～100质量％为Fe，
所述制造方法包括：
准备合金粉末的工序；
将所述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；
将所述成形体以处于1010℃～1030℃的范围内的第一烧结温度、处于12小时～36小时的范围内的第一烧结时间进行加热，得到第一烧结体的第一烧结工序；
将所述第一烧结体以处于990℃～1020℃的范围内且比所述第一烧结温度低10℃以上的第二烧结温度、处于17小时～41小时的范围且比所述第一烧结时间长5小时以上的第二烧结时间进行加热，得到第二烧结体的第二烧结工序；以及
将所述第二烧结体以处于400℃～800℃的范围内的热处理温度进行加热的热处理工序。
2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，在所述第二烧结工序中，所述第二烧结温度处于990℃～1010℃的范围内，且比所述第一烧结温度低20℃以上。
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