[发明专利]半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺

权利要求书

1.一种半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：具体步骤如下：

S1：开启烧结炉电源开关，并设定炉温，所述烧结炉为链式烧结炉；

S2：炉温计量，采用标准K型热电偶分度表对烧结炉内各区域的温度进行测量，由烧结炉上的温度仪表显示，并与预设值对比；

S3：开启氮气，氮气由炉膛中部排入，由进炉口和出炉口排出，且烧结过程中炉膛处的氮气流速为55～70m³/h；

S4：启动履带，并开启冷却水对履带进行冷却，履带的行进速度为7～9cm/分；

S5：在履带上排装未盛装管座的空石墨模具，空炉启动烧结；

S6：送入装有管座的石墨模具，压上压板，进行烧结；

所述烧结炉内设有至少一个预热区和至少一个恒温区，所述预热区位于进炉口一侧，预热区的炉温低于烧结温度，所述恒温区位于出炉口一侧；

所述恒温区设有六个，沿石墨模具的行进方向上，六个恒温区的预设温度分别为900℃、960℃、975℃、950℃、955℃和955℃，误差为±30℃。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：所述空石墨模具为废旧石墨模具，履带上排装空石墨模具的距离不少于3米。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：所述预热区设有三个，沿石墨模具的行进方向上，三个预热区的预设温度分别为600℃、700℃和800℃，误差为±30℃。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：沿石墨模具的行进方向上，当第三个恒温区处的炉温升至800℃时开启氮气，且炉膛处的氮气流速为30m³/h。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：当各区域的炉温均升至预设温度后，将炉膛处的氮气流速调整为60m³/h，持续20分钟，然后开始空炉烧结。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：沿石墨模具的行进方向上，当第三个恒温区处的炉温升至800℃时启动履带，且履带的行进速度始终为8.5cm/分。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：所述冷却水的温度低于80℃。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器TO管座底板半孔钎焊工艺，其特征在于：烧结结束时，在盛装有管座的石墨模具后跟进空石墨模具，且排装空石墨模具的距离不少于2米。