[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包含：

半导体基板；

第一导电型的源极区域，其形成在上述半导体基板的一个主面内；

第一导电型的漏极区域，其形成在上述一个主面内并且经由沟道区域与上述源极区域连接；

栅极电极，其隔着绝缘膜形成在上述沟道区域上；

第一导电型的漂移层，其形成在从上述栅极电极的下部到上述漏极区域之间的上述一个主面内；

槽部，其形成为具备开口并且从上述一个主面以预先决定于上述半导体基板的深度纵贯上述漂移层，上述开口在上述栅极电极的下部具有一端，并在与上述漏极区域接触的位置具有另一端；以及

电场缓和部，其设置在上述一端的附近并且使在上述源极区域与漏极区域之间产生的电场缓和。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还包含：

第二导电型的第一区域，其以包含上述源极区域的方式形成在上述一个主面内；以及

第一导电型的第二区域，其以包含上述漏极区域的方式形成在上述一个主面内并且杂质浓度比上述漂移层低，

上述第一区域与上述第二区域的界面位于上述栅极电极的下部。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述漂移层包含使距上述一个主面的距离不同而形成的第一导电型的多个扩散层。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其中，

在上述槽部的内部埋入有绝缘物。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和部是设置在上述槽部的内部的电场缓和电极。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和电极是从上述栅极电极起纵贯上述绝缘膜并延伸到上述槽部的内部而形成的扩张栅极电极。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和电极是与上述栅极电极独立地形成在上述槽部的内部的第二栅极电极。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和部具备与和上述一端连接的上述槽部的侧面对置设置的一个或者多个角部。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和部由多晶硅形成。

10.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，还包含：

侧壁，其形成在上述栅极电极以及上述绝缘膜的两侧，

上述一端配置在上述漏极区域侧的上述侧壁的下部。

11.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和部是在上述一端的上部较厚地形成上述绝缘膜的厚膜部。

12.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置，其中，

上述电场缓和部是在上述一端的附近注入到上述漂移层的第二导电型的注入区域。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

上述漂移层包含使距上述一个主面的距离不同而形成的第一导电型的多个扩散层，

上述注入区域注入到上述多个扩散层的最接近上述一个主面的扩散层。