[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 201910212614.9 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110299236A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 槙智仁;三野修嗣 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;H02K1/02;H02K15/03 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结磁体 合金粉末 制造 合金粉末颗粒 表面形成 金属聚集 稀土元素 热处理 磁特性 扩散 燃烧 | ||
【权利要求书】：
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：
准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr中的至少一者，T为以Fe为主的过渡金属元素，可以包含Co；
准备R－M合金粉末的工序，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr中的至少一者，M为选自Al、Cu、Zn、Ga、Fe、Co、Ni中的1种以上；
在所述R－M合金粉末的颗粒表面形成平均厚度为0.5μm以上3μm以下的R－OH层的工序；
将形成有所述R－OH层的R－M合金粉末涂布于所述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的工序；和
对涂布形成有所述R－OH层的R－M合金粉末后的所述R－T－B系烧结磁体原材料进行热处理的工序。
2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
形成所述R－OH层的工序通过将R－M合金粉末暴露在温度20℃以上150℃以下、相对湿度60％以上100％以下的气氛中而形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910212614.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：R-T-B系烧结磁体的制造方法
- 下一篇：R-T-B系烧结磁铁
