[发明专利]R-T-B系烧结磁铁有效
申请号: | 201910213095.8 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN110299237B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 工藤光;三轮将史 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁铁 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述R-T-B系烧结磁铁含有稀土元素R、过渡金属元素T、B、Cu及Ga,
所述R-T-B系烧结磁铁中,作为R含有Nd及Pr中的至少一种,
所述R-T-B系烧结磁铁中,作为T含有Fe及Co中的至少Fe,
所述R-T-B系烧结磁铁具备:
含有R2T14B的结晶的多个主相颗粒、和
多个作为被至少三个所述主相颗粒包围的晶界相的晶界多重点,
多个所述晶界多重点被分类为富过渡金属相及富R相的至少两个相,
所述富R相被分类为贫Cu相及富Cu相的至少两个相,
所述富过渡金属相是含有R、T及Ga,且满足下述式T1的相,
所述富R相是满足下述式R1及式R2的相,
所述贫Cu相是满足下述式C1的相,
所述富Cu相是满足下述式C2的相,
所述富过渡金属相、所述贫Cu相、及所述富Cu相满足下述式1,
所述贫Cu相及所述富Cu相满足下述式2,
1.50≤([Fe]+[Co])/[R]≤3.00……(T1)
0.00≤([Fe]+[Co])/[R]<1.50……(R1)
0.00≤[O]/[R]<0.35……(R2)
0.00≤[Cu]/[R]<0.25……(C1)
0.25≤[Cu]/[R]≤1.00……(C2)
所述式T1及所述式R1中的[Fe]是所述晶界多重点中的Fe的浓度,所述式T1及所述式R1中的[Co]是所述晶界多重点中的Co的浓度,所述式T1、所述式R1、所述式R2、所述式C1及所述式C2中的[R]是所述晶界多重点中的R的浓度,所述式R2中的[O]是所述晶界多重点中的O的浓度,所述式C1及所述式C2中的[Cu]是所述晶界多重点中的Cu的浓度,[Fe]、[Co]、[R]、[O]及[Cu]各自的单位是原子%,
0.30≤N1/(N1+N2+N3)≤0.60……(1)
0.03≤N3/N2≤0.20……(2)
所述式1中的N1是处于所述R-T-B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述富过渡金属相的个数,所述式1及所述式2中的N2是处于所述R-T-B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述贫Cu相的个数,所述式1及所述式2中的N3是处于所述R-T-B系烧结磁铁的截面的所述多个晶界多重点中的所述富Cu相的个数。
2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
具备多个作为位于相邻的两个所述主相颗粒之间的晶界相的二颗粒晶界,
至少一部分的所述二颗粒晶界包含所述富过渡金属相及所述富R相中的至少任意个。
3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述富过渡金属相为含有R6T13Ga的相。
4.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述富过渡金属相为仅由R6T13Ga构成的相。
5.根据权利要求3所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述R6T13Ga为Nd6Fe13Ga。
6.根据权利要求4所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述R6T13Ga为Nd6Fe13Ga。
7.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述富R相仅含有Fe作为过渡金属元素T。
8.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁铁,其中,
所述富R相含有Fe及Co两者作为过渡金属元素T。
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