[发明专利]半导体生产设备及晶圆背面清洁方法在审
申请号: | 201910213176.8 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN111725090A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 宋祖坤;顾婷婷 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 生产 设备 背面 清洁 方法 | ||
本发明提供一种半导体生产设备及晶圆背面清洁方法,半导体生产设备包括第一处理机台、第二处理机台、第一机械手臂及风刀;第二处理机台位于第一处理机台一侧,且与第一处理机台相邻接,第二处理机台与第一处理机台的邻接处设有密封门,第一机械手臂位于第一处理机台内,风刀位于第一处理机台内,且位于密封门外侧下方及第一机械手臂的下方。本发明的半导体生产设备通过在第二处理机台的外侧设置风刀,可以在晶圆传送至第二处理机台内之前对晶圆的背面使用干燥气体进行吹扫清洁,以去除晶圆背面的微粒,从而减少甚至避免缺陷的产生,提高产品的良率。
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,特别是涉及一种半导体生产设备及晶圆背面清洁方法。
背景技术
在现有半导体工艺中,在晶圆进行工艺制程的过程中或传送的过程中,所述晶圆的背面通常会被污染而有譬如灰尘等的微粒(particles)附着,而目前并没有在工艺制程之间对晶圆背面进行清洁的设备装置及对应的工艺方法;位于所述晶圆背面的所述微粒在后续工艺制程过程中会造成缺陷,从而影响产品的良率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种半导体生产设备及晶圆背面清洁方法,用于解决现有技术中由于晶圆背面附着有微粒无法及时清除,导致会在后续工艺制程中造成缺陷,进而影响产品良率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种半导体生产设备,所述半导体生产设备包括:
第一处理机台;
第二处理机台,位于所述第一处理机台一侧,且与所述第一处理机台相邻接;所述第二处理机台与所述第一处理机台的邻接处设有密封门;
第一机械手臂,位于所述第一处理机台内,用于于所述第一处理机台与所述第二处理机台之间传送晶圆;及
风刀,位于所述第一处理机台内,且位于所述密封门外侧下方及所述第一机械手臂的下方;所述风刀上设有进气口及出气口,所述进气口经由进气管路与干燥气体源相连接,所述出气口位于所述风刀的顶部,且与所述进气口相连通。
作为本发明的一种优选方案,所述第一处理机台包括涂胶及显影机台;所述第二处理机台包括扫描曝光机台。
作为本发明的一种优选方案,所述第一处理机台包括:
第一晶圆存放单元,位于所述第一机械手臂远离所述第二处理机台的一侧;
光刻胶涂覆单元,位于所述第一晶圆存放单元远离所述第一机械手臂的一侧;
显影单元,位于所述第一晶圆存放单元背离所述第一机械手臂的一侧;及
第二机械手臂,位于所述第一晶圆存放单元与所述光刻胶涂覆单元及所述显影单元之间,用于在所述第一晶圆存放单元与所述光刻胶涂覆单元及所述显影单元之间传送晶圆。
作为本发明的一种优选方案,所述第一处理机台还包括风淋室,所述风淋室位于所述第一晶圆存放单元与所述第二处理机台之间;所述第一机械手臂及所述风刀均位于所述风淋室内。
作为本发明的一种优选方案,所述风刀与所述风淋室与同一干燥气体源相连接。
作为本发明的一种优选方案,所述第二处理机台包括:
曝光单元;
第二晶圆存放单元,位于所述密封门与所述曝光单元之间;及
第三机械手臂,位于所述曝光单元与所述第二晶圆存放单元之间,用于在所述曝光单元与所述第二晶圆存放单元之间传送晶圆。
作为本发明的一种优选方案,所述半导体生产设备还包括气体流量计,所述气体流量计位于所述进气管路上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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