[发明专利]一种半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一待键合片，所述待键合片中设有键合焊盘，所述键合焊盘自所述待键合片的上表面起始，并往所述待键合片的下表面方向延伸；

形成一硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面；

以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合片进行刻蚀，使所述键合焊盘的至少一部分凸出于所述待键合片的上表面；

去除所述硬掩膜层；

对所述键合焊盘的顶面进行研磨。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面包括以下步骤：

形成所述硬掩膜层于所述待键合片的上表面，所述键合焊盘遮盖于所述硬掩膜层下方；

形成一光阻层于所述硬掩膜层表面，并图形化所述光阻层，保留所述光阻层相对位于所述键合焊盘上方的部分；

以所述光阻层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，保留所述硬掩膜层相对位于所述键合焊盘上方的部分。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：还包括将所述待键合片作为第一待键合片，并提供第二待键合片，将所述第一待键合片具有所述键合焊盘的一面面向所述第二待键合片，以将所述第一待键合片与所述第二待键合片键合的步骤。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合片进行刻蚀时，所采用的刻蚀气体对所述待键合片与所述硬掩膜层的刻蚀速率比大于4:1。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合片进行刻蚀后，所述键合焊盘的突出部分的厚度不大于所述键合焊盘整体厚度的一半。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：对所述键合焊盘的顶面进行研磨后，所述键合焊盘的顶面凸出于所述待键合片的上表面，或与所述待键合片的上表面齐平。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：采用化学机械抛光法对所述键合焊盘的顶面进行研磨。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：形成所述硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面之前，所述键合焊盘的顶面具有碟形凹陷，对所述待键合片进行平坦化之后，所述碟形凹陷的厚度小于5nm。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述硬掩膜层的材质包括氮化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述键合焊盘的材质包括铜。